本發明提供一種具有溫度補償技術所必需的負 的熱膨脹系數,且熱膨脹磁滯小的光通信元件用基材、其制造 方法及使用它的光通信元件。本發明的光通信元件用基材是一 種在-40~+100℃下的平均熱膨脹系數為-55~-120× 10-7/℃,并由包含將β-石英 固溶體或β-鋰霞石固溶體作為主結晶的陶瓷或玻璃陶瓷構 成的光通信元件用基材;其特征在于:在從-40℃到100℃進 行1℃/分的升溫,及從100℃到-40℃進行1℃/分的降溫時, 所產生的最大熱膨脹磁滯未滿12ppm。而且,本發明的光通信 元件用基材的制造方法的特征在于:對基材交互各自進行多數 次在20℃以上的溫度下的高溫處理和20℃以下的溫度下的低 溫處理,且高溫處理和低溫處理的溫度差為40~240℃。而且, 本發明的光通信元件的特征在于:光通信元件用基材在從-40 ℃到100℃進行1℃/分的升溫,及從100℃到-40℃進行1℃/ 分的降溫時所產生的最大熱膨脹磁滯未滿12ppm。
聲明:
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我是此專利(論文)的發明人(作者)