本發明公開了一種復合材料防偽元件及該防偽元件的制備方法和應 用,該防偽元件至少包含由LiNbO3基層和沉積于該LiNbO3基層上至少部 分區域的Co基非晶磁性薄膜層所形成的復合層,并且,所述Co基非晶磁 性薄膜層的厚度為50-300nm。本發明提供的新型復合防偽元件,將非晶軟 磁材料沉積在鈮酸鋰基層上,在不改變合金成分的情況下,磁矩(飽和磁 化強度)會異常增加,該磁特征不可能僅通過測定合金成分而實現仿冒, 提高了仿冒難度,同時改善了目前非晶材料磁特征信號弱,不利于檢測的 缺陷,更利于非晶材料在防偽領域的應用。
聲明:
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