本發明提供了一種高近紅外發光強度的Mg/Er-LiNbO3晶體及其制備方法。 Mg/Er-LiNbO3晶體以99.99wt%MgO、99.99wt%Er2O3、99.99wt%Nb2O5、99.99wt%LiCO3為 基礎原料,MgO摻雜量為0~2mol%,Er2O3摻雜量為0.5~1mol%,Li/Nb摩爾比=1.381。本發 明綜合運用抗光損傷元素摻雜與化學計量比生長兩種手段,同時實現有源光波導器件基質材 料-鈮酸鋰晶體的Er離子低簇位濃度、強抗光損傷能力,獲得明顯增強的1.5μm波段光發射 性能,推動有源LN光波導器件向實用化階段邁進。
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