本發明公開了一種一維MoS2納米管材料及其制備方法,包括以MoO3,S粉為初級材料,采用Te輔助化學氣相沉積法生長MoS2納米管材料,所述的單根MoS2納米管直徑為80~200nm,通過Te輔助化學氣相沉積法在SiO2/Si襯底表面生長高質量單晶MoS2納米管,Te輔助化學氣相沉積過程中采用Te粉作為催化劑,無需再采用模板和特定前驅體結構設計,工藝簡單,產率高,且成本低廉,適合批量生產;在SiO2/Si襯底上直接生長MoS2納米管,所制備的納米材料形態均一、結構性能穩定,可以作為場效應晶體管溝道材料、光催化、電催化、太陽能電池、柔性傳感器,場發射和鋰離子電池負極材料。
聲明:
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