提供了在微電子學中用于接合異種材料的技術。示例技術使用厚度介于100納米至1000納米之間的薄氧化物、碳化物、氮化物、碳氮化物或氧氮化物中間物,在環境室溫下直接鍵合異種材料。中間物可以包括硅。異種材料可能具有顯著不同的熱膨脹系數(CTE)和/或顯著不同的晶格晶胞幾何形狀或尺寸,常規上講會導致應變過大以使得直接鍵合不可行。在直接鍵合異種材料之后,環境室溫下的固化時段允許直接鍵合增強200%以上。以每分鐘1℃或更低的溫度增加速率緩慢施加的相對低溫的退火會進一步增強和鞏固直接鍵合。示例技術可以在各種新型光學器件和聲學器件的制作過程中將鉭酸鋰LiTaO3直接鍵合到各種傳統襯底。
聲明:
“在微電子學中用于接合異種材料的技術” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)