一種具有高離子電導率的NASICON型固體電解質及其制備方法。該方法通過向Li1+xAlxGe2?xP3O12(其中0≤x≤1,以下x均在此范圍內)微晶玻璃中引入B2O3來進一步降低Li+離子的活化能,從而提高微晶玻璃的離子電導率。本發明NASICON固體電解質主體為Li1+xAlxGe2?xP3O12微晶玻璃,摩爾成分為:14.82~25.00mol%的Li2O,24.69~45.00mol%的GeO2,2.47~12.50mol%的Al2O3,37.04~37.50mol%的P2O5和0.01~1.23mol%B2O3。本發明采用鉑金坩堝制備玻璃前驅體,再將玻璃前驅體在馬弗爐中熱處理后得到具有NASICON結構的微晶玻璃固體電解質。通過控制B2O3的摻入濃度,使得該NASICON類型固體電解質常溫下的離子電導率提高4倍左右,該固體電解質具有高離子電導率、無毒、安全穩定和易于加工等優勢,在全固態鋰電中有極大的應用前景。
聲明:
“具有高離子電導率的NASICON型固體電解質及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)