本發明涉及一種利用金屬氫化物直接還原制備多孔硅的方法,本發明所述的一種多孔硅的制備技術是以金屬氫化物為還原劑將二氧化硅還原為多孔硅的技術,該技術可以在較低的溫度下反應(最低可至350℃)生成高純度的多孔硅,同時可以通過調控升溫速率來控制多孔硅的比表面積和形貌。本發明提供了一種工藝簡單、反應可控、產率高的制備多孔硅新方法;所用的二氧化硅原材料來源廣泛,成本低,高效,綠色環保,易于工業化實施;本發明方法實現了多孔硅的可控制備,通過調整升溫速率來控制氣體的產生速率,從而達到調控多孔硅的形貌的目的。本發明提供的多孔硅材料可廣泛應用于鋰離子電池、光致發光、太陽能、光催化、靶向載藥和催化劑載體等諸多領域。
聲明:
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