本實用新型公開了一種納米非極性面GaN錐形陣列材料。該納米非極性面GaN錐形陣列材料包括依次層疊結合的鋁酸鋰襯底層、氮化鎵緩沖層和氮化鎵模板層以及生長在所述氮化鎵模版層外表面的氮化鎵納米錐。本實用新型納米非極性面GaN錐形陣列材料在氮化鎵層外表面生長有氮化鎵納米錐,且該氮化鎵納米錐陣列分布。同時,該無金屬雜質污染,晶體質量高。
聲明:
“納米非極性面GaN錐形陣列材料” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)