1.本發明涉及納米材料制備技術領域，具體涉及一種納米銀膜制備工藝及納米銀膜制備設備。背景技術：2.隨著微電子領域及生物技術的發展，對于納米級銀膜的需求越來越強烈，現階段制備銀膜采用的是壓延法制備工藝，此工藝僅能保證穩定的微米級銀膜的供給，無法達到納米級別，目前，采用化學還原法制備的銀膜可以達到納米級，但會產生大量的化學廢液，污染環境，無法大量生產，因此現急需要一種綠色環保的生產納米級銀膜的方法。技術實現要素：3.為了提供一種綠色環保的生產納米銀膜的方法，本發明提供一種納米銀膜制備工藝及納米銀膜制備設備，該所述制備工藝包括如下步驟：4.s1、將可溶性材料制成的基膜平整的固定在磁控濺射設備上，張力鎖緊；5.s2、將金屬銀通過磁控濺射工藝均勻附著在可溶性材料制成的基膜上，金屬銀附著完成后基膜收料；6.s3、將附著銀膜的基膜在浸膜液中將基膜浸除，獲得銀膜；7.s4、將銀膜脫水后收取。8.進一步的，所述步驟s1中，所述可溶性材料制成的基膜在20-30kgf/m張力作用下，表面無肉眼可見褶皺。9.進一步的，所述步驟s1中的可溶性材料為水溶性材料，所述步驟s3中的浸膜液為去離子水。10.進一步的，所述水溶性材料為直鏈淀粉、羧甲基纖維素鈉、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮的其中一種。11.進一步的，所述步驟s1中，可溶性材料為聚偏氟乙烯，所述步驟s3中的浸除液為n-甲基吡咯烷酮。12.進一步的，所述步驟s2中，金屬銀附著在基膜的厚度在20nm-2000nm之間。13.進一步的，所述步驟s2中，金屬銀附著在基膜的厚度在50nm-500nm之間。14.進一步的，所述步驟s2中，金屬銀附著在基膜的厚度為30nm、60nm、90nm、200nm、600nm、800nm、1200nm、1500nm、1800nm、15.進一步的，所述去離子水的電導率5μs/cm以下，所述去離子水的溫度為60-95℃。16.進一步的，所述水溶性材料為直鏈淀粉時所述去離子水的溫度為70-95℃；所述水溶性材料為聚乙烯醇時所述去離子水的溫度為65-85℃；所述水溶性材料為羧甲基纖維素鈉時所述去離子水的溫度為10-80℃；所述水溶性材料為聚乙烯吡咯烷酮時所述去離子水的溫度為10-65℃。17.進一步的，所述步驟s4中的銀膜脫水方式為自然干燥或加熱干燥或風干。18.進一步的，所述步驟s4中的脫水是在真空環境下進行的。19.一種
聲明：
“納米銀膜制備工藝及納米銀膜制作設備的制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：安徽正合雅聚新材料科技有限公司
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2025年07月23日 ~ 26日 
