相關申請的交叉引用
本非臨時申請在美國法典第35卷第119節(a)款下要求2016年4月12日于日本提交的第2016-079258號專利申請的優先權，所述專利申請的全部內容通過引用并入本文。
本發明涉及適合用作部件上的低粉化抗腐蝕涂層的氟化釔噴涂涂層，所述部件暴露至腐蝕性等離子體氣氛，如制造半導體器件、液晶器件、有機el器件和無機el器件的過程中的腐蝕性鹵素系氣體，和涉及包括所述氟化釔噴涂涂層的多層結構的抗腐蝕涂層。
背景技術：
在現有技術中，使用用于制造半導體器件、介電膜蝕刻系統、門蝕刻系統、cvd系統等的方法。因為涉及微圖案化的方法的高度集成技術經常利用等離子體，所以腔構件必須具有在等離子體中的抗腐蝕性。另外，為防止雜質污染，該構件由高純度材料形成。
用于半導體器件制造方法的典型的處理氣體為鹵素系氣體，例如氟系氣體如sf6、cf4、chf3、clf3、hf和nf3與氯系氣體如cl2、bcl3、hcl、ccl4和sicl4。將鹵素系氣體引入腔室，在腔室施加高頻率能量如微波以由所述氣體產生等離子體，采用等離子體進行處理。要求暴露至等離子體的腔室構件具有抗腐蝕性。
用于等離子體處理的設備典型地包括在它們的表面上提供有抗腐蝕涂層的部件或組件。例如，已知具有通過將氧化釔(專利文獻1)和氟化釔(專利文獻2和3)噴涂至基材表面而在其上形成有涂層的金屬鋁基材或氧化鋁陶瓷基材的部件或構件是完全抗腐蝕的并且在實踐中使用。用于保護暴露至等離子體的腔室構件的內壁的材料的實例包括陶瓷如石英和氧化鋁，表面陽極氧化的鋁，和陶瓷基材上的噴涂涂層。此外，專利文獻4公開了抗等離子體構件，所述構件在暴露至腐蝕性氣體中的等離子體的表面區域中包括(元素周期表中)第3a族金屬的層。金屬層典型地具有50至200μm的厚度。
然而，陶瓷構件遇到包括高加工成本和粉化的問題，即，如果將構件長時間暴露至腐蝕性氣體氣氛中的等離子體，則反應性氣體導致從表面發生腐蝕，由此使構成表面的晶粒剝落，產生顆粒。剝落的顆粒沉積在半導體晶片或更低的電極上，負面地影響蝕刻步驟的生產率。因此有必要除去導致顆粒污染的反應產物。即使當構件表面由抗等離子體腐蝕性材料形成時，仍然有必要防止金屬污染基材。另外在陽極氧化的鋁和噴涂涂層的情況下，如果待涂覆的基材為金屬，則被所述金屬污染可能負面地影響蝕刻步驟的品質收率。
另一方面，一旦
聲明：
“氟化釔噴涂涂層、用于其的噴涂材料以及包括噴涂涂層的抗腐蝕涂層的制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：信越化學工業株式會社
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2025年08月05日 ~ 07日 
