1.本發明涉及半導體制造技術領域，具體涉及一種半導體芯片封測用電子陶瓷加熱器及其制備方法。背景技術：2.半導體芯片等半導體元件的生產過程中，半導體元件把已制造完成的半導體元件進行結構及電氣功能的確認，以保證半導體元件符合系統的需求的過程稱為封裝后測試（簡稱封測），對半導體芯片進行封測時需要用到電子陶瓷加熱器，目前，已研發出高溫共燒陶瓷發熱片(mch)，mch直接在al2o3氧化鋁陶瓷生坯上印刷電阻漿料后，后在1600℃左右的高溫下共燒，然后再經電極、引線處理后，獲得新一代中低溫發熱元件。但氧化鋁陶瓷基板熱導率較低，膨脹系數較高，在大功率工況下易產生冷熱溫差形成熱應力從而使產品失效。且在小型應用領域，除了要求較高的熱導率外還要求產品具有較高的機械性能。3.申請人在前幾年提出的專利號為2013107411448，名稱為《采用復合粉末粒型制備氮化鋁陶瓷基片的方法》的發明專利中，提出了一種采用復合粉末粒型制備氮化鋁陶瓷基片的方法，其創新點在于：氮化鋁和氧化鋁復合粉體經過等離子體活化煅燒后、加入助燒劑、有機混合溶劑和其他輔助溶劑進行球磨，經過真空除泡后流延成型，流延生坯經預燒結和燒結步驟得到氮化鋁陶瓷基片。本發明采用氧化鋁和氮化鋁的復合粉末為原料，經過等離子煅燒，改變粉末表面狀態，提高粉末表面原子活性和原子的擴散能力，有助于加速燒結過程，降低燒結溫度；燒結過程中在還原性氣氛中燒結，通過還原反應形成新生態原子，從而加速燒結過程，節約生產成本，適合工業化生產。4.專利號為2018106876686，名稱為《3d陶瓷后蓋的制備方法》的發明專利中，公開了一種3d陶瓷后蓋及其制備方法。上述3d陶瓷后蓋的制備方法，包括如下步驟：s1、將陶瓷原料加入球磨機中進行球磨，制備成分散均勻的流延漿料，流延漿料經脫泡處理后流延得到膜帶生坯；s2、將膜帶生坯沖切成平板生坯和邊框生坯；s3、將至少一平板生坯與至少一邊框生坯疊加在一起進行溫水等靜壓處理，平板生坯的一面與邊框生坯的一面連接在一起，得到3d陶瓷生坯；s4、將3d陶瓷生坯進行排膠，得到3d陶瓷素坯，將3d陶瓷素坯進行燒結，得到3d陶瓷燒坯；s5、將3d陶瓷燒坯進行表面處理，得到3d陶瓷后蓋。本發明所述陶瓷后蓋制備方法，等靜壓工序無需采用模具，可以節省成本；并且燒坯變形率較低，縮短了加工時間。5.以氮化鋁為基材的陶瓷基片相較于氧化鋁陶瓷基片基片具
聲明：
“半導體芯片封測用電子陶瓷加熱器及其制備方法與流程” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：萊鼎電子材料科技有限公司
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2025年07月24日 ~ 26日 
