1.本技術實施例涉及半導體技術領域，尤其涉及一種半導體結構尺寸的測量方法及設備。
背景技術：
2.隨著半導體芯片的集成度越來越高，集成電路刻線的圖形線寬尺寸已進入納米級別，加工形成的關鍵尺寸(critical dimension，簡稱cd)對半導體芯片性能的影響越來越大，因此，精確測量半導體芯片的cd已成為提升半導體芯片性能和質量的關鍵。
3.由于原子力顯微鏡(atomic force microscope，簡稱afm)測量精度高，而且在采用非接觸測量模式時可以在不破壞半導體結構條件下實現對半導體結構的測量，因此廣泛應用于納米級半導體結構的測量。
4.目前，afm采用非接觸模式測量半導體結構表面時，通常是控制afm的探針在距離半導體結構表面上方5～10nm的距離處振蕩，此時，通過檢測半導體結構與上述探針之間的相互作用力即可分析出半導體結構的表面結構。然而，當半導體結構的表面存在寬度很小、且深寬比較大，即存在高深寬比的溝槽時，afm的探針需要到達溝槽的表面一定距離，在測量過程中很容易接觸到該溝槽的側壁，對半導體結構造成破壞。
技術實現要素：
5.本技術實施例提供一種半導體結構尺寸的測量方法及設備，可以解決現有技術中當半導體結構的表面存在寬度很小、且深寬比較大，即存在高深寬比的溝槽時，afm的探針需要到達溝槽的表面一定距離，在測量過程中很容易對半導體結構造成破壞的技術問題。
6.第一方面，本技術實施例提供了一種半導體結構尺寸的測量方法，該方法包括：
7.控制原子力顯微鏡的探針從預設基準位置沿垂直于待測半導體結構頂表面的方向，朝所述待測半導體結構頂表面移動第一距離；
8.控制所述探針沿平行于所述待測半導體結構頂表面的方向保持所述第一距離對所述待測半導體結構表面進行掃描，并檢測所述探針在所述待測半導體結構表面上的各個掃描點的振幅；
9.根據所述探針在所述待測半導體結構表面上的各個掃描點的振幅，確定所述待測半導體結構的關鍵尺寸。
10.在一種可行的實施方式中，所述控制原子力顯微鏡的探針從預設基準位置沿垂直于所述待測半導體結構頂表面的方向，朝所述待測半導體結構頂表面移動第一距離之前，還包括：
11.控制所述探針從所述預設基準位置沿垂直于半導體基準樣品頂表面的方向，朝所述半導體基準樣品頂表面移動所述第一距離；
12.控制所述探針沿平行于所述半導體基準樣品
聲明：
“半導體結構尺寸的測量方法及設備與流程” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：長鑫存儲技術有限公司
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2025年08月05日 ~ 07日 
