1.本發明涉及硅片制作技術領域，更具體地說，本發明涉及一種單晶硅片分選機及其使用方法。
背景技術：
2.單晶硅是硅的單晶體，是一種具有基本完整的點陣結構的晶體，其不同的方向具有不同的性質，是一種良好的半導材料。而它常用于制造半導體器件、太陽能電池等，單晶硅是用高純度的多晶硅在單晶爐內拉制而成的，而單晶硅片在各個領域都有著非常大的發展價值。單晶硅片從上游原材料到中游制造到應用主要分為直拉、區熔、破方規、線鋸等步驟。首先將多晶硅原料在加入氬氣等特氣環境的條件下，通過直拉或者區熔的方法獲得單晶硅晶棒，然后通過單晶硅拉晶爐等設備再經過破方規形成方錠。再通過線切、研磨、刻蝕、拋光等流程最后得到光伏級單晶硅片和半導體級單晶硅片。對于單晶硅片，又可進一步精密加工成太陽能單晶硅電池片、功能性電子元器件、機械器件、集成電路等多種下游材料，最后被廣泛應用于風力發電、新能源汽車、醫療器械、航空航天、計算機、智能制造及光伏行業等。
3.此外，由于單晶硅片的尺寸大小直接決定了半導體應用中芯片的成本，硅片尺寸越大，將來在制成的每塊晶圓上就能切割出更多的芯片，單位芯片的成本也就更低，因此大尺寸單晶硅的發展的趨勢。由于大尺寸硅片具有更大的可以刻蝕面積，更加符合集成電路芯片制造需求以及太陽能電池的蓄電能力的需求，現有技術中逐漸對大尺寸硅片的制備產生了技術聚集。
4.現有技術中，大尺寸硅片的制備或切割技術，長采用砂漿線切割或金剛線切割，如中國專利cn113119328a公開了一種大尺寸硅片切割方法，其先將硅棒粘接在固定基座上；再在所述硅棒表面粘接至少一組引導條；再用金剛石線鋸將帶有所述引導條的所述硅棒切割成硅片；其中，所述引導條位于所述硅棒遠離所述固定基座一側的底面設置，所述引導條與所述固定基座對位設置且與所述金剛石線鋸垂直設置；所述引導條位于所述硅棒靠近所述金剛石線鋸一側底面或側面設置。該現有技術提供的切割方法，粘棒時在硅棒底面或側面粘接磁引導條，引導條被切割分離后，切割后每個獨立的單體引導條的磁極發生變化，成為兩兩互斥的個體，硅片在這種互斥力的作用下，相鄰硅片之間自然張開，進而有利于冷卻液進入，使硅粉排除，減少硅片翹曲和劃痕；提高硅片的鋸切速度。并且現有技術中提供了如何進行大尺寸硅片切割后的分選設備的技術方案，如中國實用新型cn215680616u提供了一種可檢測166mm硅片的henne
聲明：
“單晶硅片分選機及其使用方法與流程” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：無錫京運通科技有限公司
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2025年08月05日 ~ 07日 
