1.本技術涉及芯片測試技術領域，具體而言，涉及一種芯片的篩片方法、裝置及篩片設備。
背景技術：
2.隨著芯片面臨的功耗問題越來越嚴重，芯片功耗過大是芯片量產良率損失的主要原因之一。不同的晶片和不同的批次之間，因為摻雜、刻蝕、溫度等外界因素導致mosfets參數的變化范圍比較大，為減輕設計困難度，需要將器件性能限制在某個范圍內，并報廢超出這個范圍的芯片，一般芯片量產過程中篩片主要從兩方面限制功耗，其中一個是常溫靜態電流的上限，另一個是片上集成的監測process快慢的osc振蕩電路環。僅僅基于這兩項測試，會有部分芯片在功耗邊界值附近有高溫反轉現象，即部分在功耗限制范圍內的芯片高溫功耗異常，具體表現為芯片工作時結溫超過預設的值或廠家規定的芯片結溫的上限，部分在功耗限制范圍外的芯片高溫表現反而正常。如果為了不讓功耗限制范圍內出現高溫反轉現象的芯片進入市場，勢必要繼續降低功耗限制，這樣對量產芯片的良率的損失是巨大的。
3.因此，亟需一種新的芯片篩片方法來解決芯片量產篩片過程中功耗限制低導致芯片良率低的問題。
技術實現要素：
4.本技術的主要目的在于提供一種芯片的篩片方法、裝置及篩片設備，以解決現有技術中篩片方法的功耗限制低導致芯片良率低的問題。
5.根據本發明實施例的一個方面，提供了一種芯片的篩片方法，所述篩片方法包括：對多個樣品芯片進行板級測試，所述板級測試的環境溫度為極限溫度，將滿足第一預定條件的所述樣品芯片確定為第一目標芯片，獲取多個所述第一目標芯片的靜態電流值和振蕩頻率值，并確定靜態電流閾值和振蕩頻率閾值，所述極限溫度為所述樣品芯片的應用場景的最高環境溫度，所述第一預定條件為測試芯片正常工作且結溫值在第一預定范圍內；對所述第一目標芯片進行ft測試，將滿足第二預定條件的所述第一目標芯片確定為第二目標芯片，所述第二預定條件為測試芯片在預定時間內的結溫溫升值在第二預定范圍內；對所述第二目標芯片進行板級測試，所述板級測試的環境溫度為極限溫度，將滿足所述第一預定條件和所述第二預定條件的所述第二目標芯片確定為第三目標芯片，獲取所述第三目標芯片在所述ft測試中的結溫溫升值，確定結溫溫升閾值；根據所述靜態電流閾值、所述振蕩頻率閾值和所述結溫溫升閾值對待測試芯片進行篩片，所述待測試芯片與所述樣品芯片為相同型號的芯片。
6.可選地，在對所述第一目標芯片進行ft測試，將滿足
聲明：
“芯片的篩片方法、裝置及篩片設備與流程” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：山東岱微電子有限公司
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2025年08月05日 ~ 07日 
