1.本發明涉及半導體技術領域，具體是陶瓷覆鋁襯板的制備方法。
背景技術：
2.陶瓷覆鋁襯板作為一種絕緣封裝襯板應用于電子電路而取得長足進展，盡管它的特性在很多方面相似于陶瓷覆銅基板。對于陶瓷覆銅襯板，例如，銅和氧化鋁覆接的溫度較高(大于1000℃)，界面會形成比較硬的產物cualo2，所以覆接銅的氧化鋁基板的內應力較大，抗熱震動性能相對較差，在使用中常常因疲勞而損壞。
3.鋁和銅相比，具有較低的熔點，低廉的價格和良好的塑性，純鋁的熔點只有660℃，金屬鋁和氧化鋁陶瓷基板的覆接是物理濕潤，在界面上沒有化學反應，而且純鋁所具有的優良的塑性能夠有效緩解界面因熱膨脹系數不同引起的熱應力，研究也證實al/al2o3陶瓷基板具有非常優良的抗熱震性能。
4.陶瓷覆鋁襯板的制備難點在于：1.鋁與大多數陶瓷基板的潤濕性很差，當溫度低于700℃時，鋁與陶瓷的潤濕角大于90
°
基本不會對瓷片進行潤濕，即無法有效鍵合；溫度升高至900℃以上時，其浸潤性明顯增強，但此時溫度高于鋁的熔點，基板成型困難；2.電力電子應用中采用陶瓷覆鋁襯板作為絕緣封裝材料，其對熱導率、電導率要求高，這需要覆鋁基板采用的鋁箔純度為3n99及以上，同時在制備過程中也需要避免過多的引入其他雜質元素。
5.目前主要公開的制備陶瓷覆鋁襯板的技術，即dba技術，其實際上是采用高溫鋁液進行澆鑄或壓鑄成型。這種方法，對模具要求高及對熔體處理工藝要求高，而且成本高，量產難。第二種方法是，采用濺射等工藝對陶瓷進行表面預處理，這種方法的濺射設備成本高，不宜量產。第三種是采用熱浸鍍鋁的方法，該方法無法形成均勻的鋁膜，需要后續加工，并且熔體潔凈度難以控制，氣孔、氧化、夾雜等缺陷，直接影響基板的電導率等重要特征。
6.目前公開相關技術專利如下；
7.us6183875 b1中提出采用一種特殊工裝模具，將熔融的鋁熔體倒入模具中，然后將瓷片浸入熔體，再進行冷卻。其熔體溫度較高，形成有效鍵合；同時提出引入ti活性金屬進行直接釬焊對比，結果表明直接在焊料中引入ti活性金屬樣品剝離強度低。
8.cn102756515b中提出采用物理氣相沉積的方法蒸鍍鋁膜再進行釬焊制備陶瓷覆鋁襯板，設備投入大，且蒸鍍層較薄，鍵合性能難以控制，成本高，效率低，難以形成量產；
9.cn103508745b中提出采用低熔點軋制金屬復合板的工藝制備陶瓷
聲明：
“陶瓷覆鋁襯板的制備方法與流程” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
754
編輯：中冶有色網
來源：上海富樂華半導體科技有限公司
分享 0
舉報 0
收藏 0
反對 0
點贊 0
2025年07月24日 ~ 26日 
