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1.本發明涉及六方形氮化硼(hexagonal boron nitride,h
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bn)/石墨烯異質結三維多孔碳材料及其制備方法和電催化用途。
背景技術：
2.h
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bn與石墨烯具有高度結構相似性及差異巨大的電化學性質。例如，h
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bn具有寬帶隙結構，不具有導電性；而石墨烯具有零帶隙結構，具有高導電性。h
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bn與石墨烯的相似性及差異性，使h
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bn成為很好的摻雜劑，用以改性石墨烯的電化學性質，使石墨烯表現出新的電化學性能，特別是電催化性能。傳統的h
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bn/石墨烯平面異質結是典型的二維結構，其制備方法主要通過復雜的化學氣象沉積法(chemical vapor deposition,cvd)完成，材料的產量及且異質結含量均較低，這限制了異質結在電催化等領域的研究及應用。所以，有必要探究新的方法實現豐富異質結的構建并探究異質結對石墨烯的改性及應用。
3.目前對于二維h
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bn/石墨烯平面異質結構建的專利已有報到，例如發明人公開的專利(專利申請號：2017111130962)中，公開了一種h
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bn/石墨烯平面異質結的制備方法，首先在銅箔表面以預制圖案的掩膜沉積納米級厚度的鎳層；其次將獲得的銅箔基底置于管式爐中，通過化學氣相沉積方法不間斷、依次地沉積石墨烯與h
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bn；最后控制冷卻速度，使管式爐降溫至室溫。該發明在化學氣相沉積法生長的基礎上，利用石墨烯在銅與銅鎳合金表面生長機理的不同，在特定生長條件下，石墨烯僅在銅表面生長，h
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bn在未覆蓋石墨烯的合金表面生長，從而只利用一次化學氣相沉積步驟制備出帶有預制圖案的h
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bn/石墨烯平面異質結。該類方法的制備過程往往需要預制圖案等復雜步驟，其異質結的含量及產量均較低，所以該法制備的異質結往往只能用在構建微電子器件，探究異質結基本物理性能。
4.目前，對于h
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bn/石墨烯平面異質結的文獻已有很多，主要是二維異質結通過cvd法進行構建。另外，也有文獻報道通過
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nh2修飾石墨烯量子點為摻雜前驅，通過與h
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bn的生長前驅進行混合，后通過高溫處理使h
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bn在石墨烯量子點邊緣進行生長，從而構建h
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bn/石墨烯平面異質結。該方法由于沒有金屬催化劑的存在，異質結的含量及質量較低。
5.目前，也有文獻報道h
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bn
聲明：
“六方形氮化硼/石墨烯平面異質結三維多孔碳材料及其制備方法與應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：南京林業大學
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2025年08月05日 ~ 07日 
