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    硅塊破碎裝置及使用方法、硅塊破碎方法及應用方法與流程

    496   編輯:中冶有色網   來源:江蘇鑫華半導體材料科技有限公司  
    2023-10-24 16:17:25
    本發明涉及破碎裝置技術領域,尤其涉及一種硅塊破碎裝置及使用方法、硅塊破碎方法及應用方法。 背景技術: 電子級多晶硅是集成電路產業的基礎原材料,一般采用改良西門子法進行生產,在還原爐中利用化學氣相沉積產出多晶硅棒,然后對其進行破碎、篩分及清洗,從而得到尺寸不一的多晶硅塊,以便于下游半導體硅片廠家投爐進行單晶拉制。 傳統的破碎方式一般采用鎢合金錘進行人工破碎,或使用輥式破碎機等進行機械破碎,但是前者為人工操作,容易在操作過程中引入人工污染,后者則會導致硅塊與機械設備過多接觸,硅塊表面受到大量金屬污染;上述兩種情況均會導致硅塊表面污染,從而影響下游單晶產品質量。 技術實現要素: 本發明提供了一種硅塊破碎裝置,可有效解決背景技術中的問題,同時本發明中還請求保護硅塊破碎裝置的使用方法,以及,一種硅塊破碎方法及應用方法,具有同樣的技術效果。 為了達到上述目的,本發明所采用的技術方案是: 一種硅塊破碎裝置,包括: 容器,提供待破碎硅棒的容納空間,且在所述容納空間內執行破碎動作; 兩脈沖電極,在所述容納空間內懸掛設置,且懸掛高度及兩所述脈沖電極在水平面內的位置均可調節; 所述容器內設置有高純水,用于對所述硅棒與外界環境進行隔離,所述脈沖電極在所述高純水內產生脈沖電弧,所述高純水的電阻率為ρ,單位為mω.cm,其中,16mω.cm≤ρ≤20mω.cm。 一種如上所述的硅塊破碎裝置的使用方法,包括以下步驟: 對兩所述脈沖電極與所述硅棒的相對位置進行調節; 確定電源的脈沖電壓及脈沖頻率; 供電執行破碎操作。 進一步地,所述脈沖電極與所述硅棒的相對位置調節的模型如下: 其中, s為兩所述脈沖電極間的水平間距以mm為單位時的數值; l為硅棒的長度以mm為單位時的數值,1500≤l≤3000; a為破碎后的硅塊目標粒徑以mm為單位時,取值范圍的中位數; x為所述脈沖電極與所述硅棒的垂直距離以mm為單位時的數值; d為硅棒直徑以mm為單位時的數值。 進一步地,所述脈沖電壓的調節模型如下: 其中, a為破碎后的硅塊目標粒徑以mm為單位時,取值范圍的中位數; u為脈沖電壓以kv為單位時的數值。 進一步地,所述脈沖頻率的調節模型如下: f為脈沖頻率以hz為單位時的數值。 一種硅塊破碎方法,通過兩脈沖電極形成脈沖電弧,所述脈沖電弧進入被高純水浸沒的
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