n型topcon電池片及其制備方法
技術領域
1.本發明屬于太陽能電池技術領域,具體而言,涉及n型topcon電池片及其制備方法。
背景技術:
2.目前光伏市場主流電池產品為p型perc電池,下一代的升級產品最大可能為n型topcon電池,常規工藝路線topcon電池硼擴散后需要進行背面拋光工藝,目的為去除硅片側邊及背面邊緣硼擴散繞鍍,同時形成背面小方塊結構,增強背面鈍化效果。為了兼容電池背面金屬的接觸性能,電池背面堿拋方塊大小只能控制在~5μm,相對于方塊尺寸更大(>20um)的背面形貌結構,其鈍化效果是相對較差,限制了電池性能的提升。
技術實現要素:
3.本發明旨在至少在一定程度上解決相關技術中的技術問題之一。為此,本發明的一個目的在于提出n型topcon電池片及其制備方法,其中,采用該制備方法既可以提高硅片背面的鈍化效果,同時還能提高硅片背面金屬電極與硅基體的接觸性能,能夠降低電池的電阻,同時提高電池的開路電壓、填充因子和電池轉化效率。
4.在本發明的一個方面,本發明提出了一種制備n型topcon電池片的方法。根據本發明的實施例,該方法包括:
5.(1)提供單面含有硼擴散的n型硅片;
6.(2)以所述硅片背離硼擴散的一側為背面,對所述硅片進行背面拋光處理,以便在硅片背面形成預期尺寸的方塊形貌;
7.(3)在步驟(2)得到的硅片背面沉積硅氧化合物層;
8.(4)對所述硅氧化合物層進行局部激光開槽,以便去除開槽部位的硅氧化合物層并對下層硅進行燒灼,形成倒金字塔結構;
9.(5)對步驟(4)得到的硅片進行背面腐蝕處理,并去除未激光區域的硅氧化合物層;
10.(6)在步驟(5)得到的硅片背面沉積隧穿氧化層和多晶硅層,
11.其中,所述硅片背面金屬柵線設置在對應開槽圖形的位置。
12.本發明上述實施例的制備n型topcon電池片的方法至少具有以下優點:1、對硅片背面進行拋光時可以在硅片背面形成尺寸更大的方塊形貌,例如可以使方塊尺寸達到20μm左右,相對于現有背面拋光形成的5μm左右的方塊尺寸,本發明中可以形成更大的方塊尺寸形貌,進而使得鈍化膜在更大方塊、平整的硅基體上沉積更加致密,鈍化效果更好;2、硅片背面形成尺寸更大的方塊形貌時,背面拋光控制的刻蝕量與常規工藝相比也較大,由此能夠確保電池側面、背面繞擴層被完全去除,保證較好的電池并聯電阻,
聲明:
“N型TopCon電池片及其制備方法與流程” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)