[0001]
本發明涉及三氯化硼的制造方法。
背景技術：
[0002]
作為三氯化硼(bcl3)的制造方法之一，已知使碳化硼(b4c)和氯氣(cl2)反應的方法。該反應能夠用以下的反應式表示。
[0003]
b4c+6cl2→
4bcl3+c
[0004]
例如在專利文獻1中公開了下述方法：將平均粒徑為1～4mm的碳化硼裝入到反應容器中，加熱至600～1200℃后導入氯氣，來合成三氯化硼。
[0005]
在先技術文獻
[0006]
專利文獻
[0007]
專利文獻1：日本國專利公開公報2009年第227517號
技術實現要素：
[0008]
然而，在專利文獻1所公開的制造方法中，有與氯氣反應的碳化硼的溫度局部地達到超過1200℃的高溫的情況，但由于碳化硼被固定于反應容器內的固定的位置，不會在反應中移動，因此在反應容器中容易發生蓄熱。其結果，根據反應容器的材質而有可能產生損傷。
[0009]
本發明的課題是提供反應容器難以產生損傷的三氯化硼的制造方法。
[0010]
為了解決上述課題，本發明的技術方案如以下的[1]～[7]所示。
[0011]
[1]一種三氯化硼的制造方法，具有下述工序：在粉粒體狀的碳化硼在含有氯氣的氣體中流動的狀態下，進行所述含有氯氣的氣體中的氯氣與所述碳化硼的反應。
[0012]
[2]根據[1]所述的三氯化硼的制造方法，一邊向反應容器內連續地供給所述含有氯氣的氣體和所述碳化硼、并且從所述反應容器連續地排出其反應生成物，一邊連續地進行所述含有氯氣的氣體中的氯氣與所述碳化硼的反應。
[0013]
[3]根據[1]或[2]所述的三氯化硼的制造方法，所述碳化硼的體積基準的平均粒徑d50小于500μm。
[0014]
[4]根據[1]～[3]的任一項所述的三氯化硼的制造方法，在600℃以上的溫度下進行所述含有氯氣的氣體中的氯氣與所述碳化硼的反應。
[0015]
[5]根據[1]～[4]的任一項所述的三氯化硼的制造方法，在-0.050mpag以上且0.500mpag以下的壓力下進行所述含有氯氣的氣體中的氯氣與所述碳化硼的反應。
[0016]
[6]根據[1]～[5]的任一項所述的三氯化硼的制造方法，所述含有氯氣的氣體由50體積％以上且100體積％以下的氯氣和余量的惰性氣體構成。
[0017
聲明：
“三氯化硼的制造方法與流程” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：昭和電工株式會社
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2025年07月24日 ~ 26日 
