cvd流化沉積裝置及硅碳負極材料的制備方法
技術領域
1.本發明涉及化學氣相沉積設備技術領域，具體涉及一種cvd流化沉積裝置及硅碳負極材料的制備方法。
背景技術：
2.硅負極材料由于其較高的理論容量(4200mah/g)、較低放電平臺以及儲量豐富等優勢，成為當前最有可能替代傳統石墨負極材料的新一代負極材料。
3.硅沉積在太陽能合成多晶硅或無定型硅中較為常見，通過通入硅烷(sih4)或者(sihcl3)等硅源，在硅棒或者籽晶粒表面沉積硅，并長大形成硅柱或硅錠。該反應通過控制鐘罩爐中的溫度、氣氛濃度、壓差，達到沉積效果，實現硅純度大于99.999％以上硅棒沉積。
4.目前，主流的硅負極材料合成方案較為復雜，專利cn107785560a公開了一種通過混捏和壓制制備硅碳負極材料的方法，其合成工藝包括硅與石墨等碳復合、瀝青等無定型碳包覆、破碎過篩、壓制成型等；合成工藝較為復雜，雖一定程度上可解決硅碳應用中部分問題，但工藝復雜設備成本高，且納米硅制備存在明顯產能瓶頸。
技術實現要素：
5.本發明要解決的技術問題是克服現有技術存在的不足，提供一種能夠實現較好包覆、工作可靠、自動化程度高、生產效率高、結構簡單緊湊、成本低的cvd流化沉積裝置及硅碳負極材料的制備方法。
6.為解決上述技術問題，本發明采用以下技術方案：
7.一種cvd流化沉積裝置，包括具有反應腔的流化床，所述反應腔內安裝有用于加熱反應腔的加熱裝置和用于收集流化沉積材料的收集料斗，所述流化床連接有用于向反應腔中輸送碳基材料的碳基材料輸送機構、用于向反應腔中輸送硅源氣體及還原氣體的氣相材料輸送機構、用于向反應腔中輸入載氣的載氣輸送機構和用于回收余料的負壓回收組件，所述反應腔內設有將反應腔分隔為流化腔和出料腔的導流板，所述碳基材料輸送機構、氣相材料輸送機構和負壓回收組件均與所述流化腔連通，所述載氣輸送機構與所述出料腔連通。
8.上述的cvd流化沉積裝置，優選的，所述流化腔包括直筒段和連接于所述直筒段上端的擴徑段，所述擴徑段的內徑由下至上逐漸增大，所述擴徑段內設有分流板，所述過濾分流板為頂點朝上的錐形過濾板，所述負壓回收組件與所述分流板上方的空間連通，所述碳基材料輸送機構和氣相材料輸送機構均與所述直筒段連通。上述的cvd流化沉積裝置，優選的，所述收集料斗包括集料腔和與所述集料腔連通的出料口，所述集料腔具有
聲明：
“CVD流化沉積裝置及硅碳負極材料的制備方法與流程” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：長沙礦冶研究院有限責任公司
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2025年07月23日 ~ 26日 
