1.本實用新型涉及化工設備技術領域，具體涉及一種高純四氟化鍺的制備裝置。
背景技術：
2.在半導體工業中，高純四氟化鍺作為摻雜和離子注入劑，能夠結合乙硅烷氣體，直接在玻璃基底上制造硅鍺微晶。在核工業領域電子級四氟化鍺用于分離鍺的同位素，其制備方式及設備長期被發達國家壟斷及封鎖。
3.申請號為200980138501.3名稱為四氟化鍺的制造方法和201921837493.9名稱為一種四氟化鍺的制備裝置公開了兩種四氟化鍺的制備方法。200980138501.3采用稀釋后的氟氣與在料架上加熱到一定溫度的鍺塊進行反應，冷凝收集四氟化鍺。201921837493.9在傾斜旋轉加熱管中投入鍺粉，從下端通氟氣并采用翻板將鍺粉揚起反應，過濾后冷凝收集四氟化鍺。
4.氟氣與鍺反應需要一定的反應溫度，反應發生后又劇烈放熱，對熱量的管理是直接氟化法制四氟化鍺的重點。在200980138501.3具體實施方法中，存在鍺塊反應熱局部灼傷反應器的實例。其采用稀釋氟氣進行反應雖然可以有效控制反應速率，但不利于高效生產。且每次投料需要打開反應容器，增加了安全風險，對含有稀釋氣的氟氣四氟化鍺混合氣進行冷凝也增加了資源浪費。201921837493.9投入鍺粉與反應容器直接接觸，對反應熱的控制困難，反應容器的灼傷風險加劇。四氟化鍺產物可能裹挾鍺粉引入雜質，對產物純度帶來影響。
技術實現要素：
5.本發明的主要目的是提供一種高純四氟化鍺的制備裝置，以解決背景技術中存在的問題，
6.為了解決現有技術中存在的問題，本實用新型提供一種高純四氟化鍺的制備裝置，包括依次用管道連接的環流氣室、反應器、加壓冷凝裝置和收集裝置，反應器頂部設置有給料器，所述給料器包括密封加料口、第一負壓抽吸口和出料口，所述出料口設置在給料器底部，出料口內自上而下依次設有第一密封閥、加熱器和第二密封閥；所述反應器用于氟氣與鍺反應，包括氟氣入口、給料口、第二負壓抽吸口和產品出口，給料口設置在反應器頂部并與出料口密封連接，氟氣入口連接氟氣氣源，產品出口連接至加壓冷凝裝置和收集裝置，加壓冷凝裝置用于氟氣與鍺反應生成四氟化鍺后的液化，收集裝置用于液化后的四氟化鍺的收集儲存。
7.進一步的，所述反應器內設有可更換的落料架。
8.本實用新型通過在給料器的出料口內設置的第一密封閥、加熱器和第二密封閥，使少量鍺粉可以隔絕在加熱器內進行加
聲明：
“高純四氟化鍺的制備裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：云南大學
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2025年06月13日 ~ 15日 
