1.本公開涉及化工領域,更具體地涉及一種氧化鎵制備系統。
背景技術:
2.隨著大數據時代的到來,半導體材料的應用范圍和需求量逐年增加,其中寬禁帶半導體材料在大功率半導體器件,紫外探測,紫外通訊方面發揮著重要的作用。氧化鎵作為禁帶寬度完美契合深紫外波段光子能量的寬禁帶半導體材料,是目前人們研究的重點對象。
3.ga2o3是金屬鎵的氧化物,同時也是一種半導體化合物。其結晶形態截至目前已確認有α、β、γ、δ、ε五種,其中,β結構最穩定。與ga2o3的結晶生長及物性相關的研究大部分圍繞β結構展開。氧化鎵(ga2o3)是一種新興的超寬帶隙(uwbg)半導體,擁有4.8ev的超大帶隙。作為對比,sic和gan的帶隙為3.3ev,而硅則僅有1.1ev,那就讓這種新材料擁有更高的熱穩定性、更高的電壓、再加上其能被廣泛采用的天然襯底,讓開發者可以輕易基于此開發出小型化,高效的大功率晶體管。
4.于2018年5月18日公布的中國專利申請cn108046311a公開了一種高純氧化鎵的制備方法,該制備方法采用鎵與硝酸溶解反應形成硝酸鎵
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硝酸鎵與氨水反應得到氫氧化鎵
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恒溫陳化
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離心洗滌
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非還原性氣體氣氛下煅燒的工藝路線。但是其工藝的不足至少有兩點,一是產能有限,二是離心洗滌的洗滌的液體尚未回收。
技術實現要素:
5.鑒于背景技術中存在的問題,本公開的目的在于提供一種氧化鎵制備系統,其能提高氧化鎵制備的產能。
6.由此,在一些實施例中,一種氧化鎵制備系統包括鎵溶解釜、過濾器、定容罐、中和釜、恒溫控制模塊、離心機以及氣氛爐;鎵溶解釜用于將鎵溶解于硝酸以形成硝酸鎵并與水形成硝酸鎵溶液;過濾器位于鎵溶解釜和定容罐之間并連通鎵溶解釜和定容罐,過濾器用于將來自鎵溶解釜的硝酸鎵溶液過濾并將過濾后的硝酸鎵溶液供給到定容罐;定容罐用于接收過濾器供給的過濾后的硝酸鎵溶液且將所接收的過濾后的硝酸鎵溶液用水稀釋并定容,以形成定容的硝酸鎵溶液;中和釜設置于定容罐的下游并連通于定容罐和外部的氨水源,中和釜用于接收來自定容罐的定容的硝酸鎵溶液和來自外部的氨水源的氨水,以使硝酸鎵和氨水反應形成沉淀的氫氧化鎵;恒溫控制模塊用于控制中和釜中的硝酸鎵和氨水反應結束后的溫度以使中和釜中的沉淀后的氫氧化鎵進行恒溫陳化而得到含羥基氧化鎵的漿料;離心機設置于中和釜的下游并連通于中和釜的底部,
聲明:
“氧化鎵制備系統的制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)