設備介紹
這款CVD反應爐控制電路選用模糊PID程控技術,該技術控溫精度高,熱慣性小,溫度不過沖,性能可靠,操作簡單,中真空系統具有真空度上下限自動控制功能,高真空系統采用高壓強,耐沖擊分子泵防止意外漏氣造成分子泵損壞,延長系統使用壽命。此款三溫區CVD生長系統適用于CVD工藝,如
碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電(MLCC)氣氛燒結等實驗。
產品優勢
PID程控控制系統
控制電路選用模糊PID程控技術,該技術控溫精度高,熱慣性小,溫度不過沖,性能可靠
耐沖擊高真空系統
高真空系統采用高壓強,耐沖擊
真空泵,防止意外漏氣造成真空泵損壞,延長系統使用壽命
剛玉材質爐管
爐管采用剛玉材質,工作溫度可達1600度,具有高溫穩定性和耐腐蝕性,加熱均勻性好
技術參數
名稱 高溫三溫區CVD設備
型號 KJ-OTF-1700-F5
加熱系統
顯示 LED
最高溫度 1700℃
工作溫度 ≤1600℃
升溫速率 建議0~10℃/min
溫區數量 3
溫區長度 220mm(其他尺寸可根據客戶需求定制)
加熱元件 硅鉬棒
熱電偶 B型
控溫精度 ±1℃
管尺寸 外徑80mm * 長度1400mm
(其他尺寸可根據客戶需求定制)
材質:剛玉
溫度控制 PID自動控制
溫控方式 30段可編程
真空計 復合真空計
真空法蘭 帶閥門和針頭的不銹鋼真空法蘭
真空泵系統
真空泵組(旋片泵+擴散泵) 冷態極限真空6.67*10-3Pa。
質量流量計(5氣路)
流量范圍 (20, 30, 50, 100, 200, 300, 500) SCCM