權利要求書： 1.一種鈦鋯酸鉛與氧化鎂垂直自組裝納米復合介電儲能薄膜的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
步驟一、制備PZT粉體；所述PZT粉體由PbO、ZrO2和TiO2制成；PbO、ZrO2和TiO2的質量比為（6.66 6.88）∶（1.77 1.83）∶（1.02 1.05）；
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步驟二、將步驟一得到的PZT粉體與MgO粉體混合，得到混合均勻的PM復合粉體；所述MgO粉體與PZT粉體的質量比為（0.28 0.59）∶（9.41 9.72）；
~ ~
將PM復合粉體與粘合劑混合后，壓片，冷等靜壓成型處理，得到PM復合靶材胚體；
步驟三、將步驟二得到的PM復合靶材胚體進行燒結處理，燒結溫度為800℃ 850℃，得~到PM復合靶材；
步驟四、將步驟三得到的PM復合靶材進行脈沖激光沉積，PZT相與MgO相自發形成有序結構，沉積形成外延的垂直自組裝復合介電薄膜，再經退火處理得到儲能薄膜材料；
所述脈沖激光沉積的具體過程為：使用KrF激光轟擊PM復合靶材，使PM復合靶材成分按化學計量比燒蝕、汽化，在真空腔體內形成高溫高壓的等離子羽輝，并擴散到長有SrRuO3底電極層的(001)SrTiO3基底上，沉積生長為外延的垂直自組裝復合介電薄膜；在沉積過程?2 ?2中，KrF激光的能量密度為1.2J?cm 1.8J?cm ，KrF激光的重復頻率為4Hz；基底溫度~為495℃~510℃，氧氣分壓為0.15mbar；所述長有SrRuO3底電極層的SrTiO3基底，其SrRuO3底電極層是在630℃和0.15mbar的氧分壓下沉積得到的；SrRuO3底電極層的厚度為30nm。
2.根據權利要求1所述的鈦鋯酸鉛與氧化鎂垂直自組裝納米復合介電儲能薄膜的制備方法，其特征在于：其中，步驟一制備PZT粉體的具體方法為：將PbO、ZrO2和TiO2原料粉體進行混合配料，再與無水乙醇進行混合，依次進行球磨12小時、干燥、篩分處理，得到混合均勻的原料粉體；將原料粉體進行預燒處理，預燒工藝為：從室溫以5℃/min升溫速率升高到950℃ 1000℃，在~
950℃ 1000℃保持6h，再以5℃/min降溫速率將溫度降到室溫，得到PZT粉體。
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3.根據權利要求1所述的鈦鋯酸鉛與氧化鎂垂直自組裝納米復合介電儲能薄膜的
聲明：
“鈦鋯酸鉛與氧化鎂垂直自組裝納米復合介電儲能薄膜及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：南京航空航天大學
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2025年08月05日 ~ 07日 
