權利要求書： 1.一種太陽能電池的制造方法，其是使用單結晶硅基板制造單結晶硅太陽能電池的太陽能電池的制造方法，其特征在于包含：使用石英爐將前述單結晶硅基板在800℃以上1200℃以下熱處理的高溫熱處理步驟，將前述太陽能電池的制造所使用的單結晶硅基板定為初期晶格間氧濃度為12ppma(JEIDA)以上者，該高溫熱處理步驟具有：
將前述單結晶硅基板裝填至熱處理裝置的搬運步驟；及將前述單結晶硅基板加熱的加熱步驟；及
將前述單結晶硅基板保持在800℃以上1200℃以下的既定溫度的保溫步驟；及將前述單結晶硅基板冷卻的冷卻步驟，在前述高溫熱處理步驟之中，將通過前述搬運步驟及前述加熱步驟而使前述單結晶硅基板的溫度成為400℃以上650℃以下的時間定為5分鐘以內，以批次處理進行前述高溫熱處理步驟，
將前述太陽能電池的制造后前述單結晶硅基板所含的氧的析出量定為2ppma(JEIDA)以下。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其中由前述單結晶硅基板制造出前述太陽能電池的期間，在最初的前述高溫熱處理步驟中，將前述單結晶硅基板的溫度成為
400℃以上650℃以下的時間定為5分鐘以內。
3.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其中在含有惰性氣體的氣體環境下進行前述高溫熱處理步驟。
4.根據權利要求3所述的太陽能電池的制造方法，其中前述惰性氣體為氮或氬。
5.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其中在含有氧或水的氣體環境下進行前述高溫熱處理步驟。
6.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其中在前述搬運步驟之中，將前述單結晶硅基板在10分鐘以內配置于前述熱處理裝置的加熱區。
7.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其中將前述單結晶硅基板定為CZ單結晶硅基板。
8.一種太陽能電池，其是通過根據權利要求1至7中任一項所述的太陽能電池的制造方法所制造的太陽能電池，其特征在于：前述單結晶硅太陽能電池中，前述單結晶硅基板在電致發光或光致發光時沒有漩渦紋。
9.一種太陽能電池，其是具備CZ單結晶硅基板的單結晶硅太陽能電池，其特征在于：前述CZ單結晶硅基板所含的氧的析出量為2ppma(JEIDA)以下，前述CZ單結晶硅基板所含的殘存晶格間氧濃度為10ppma(JEIDA)以上，前述單結晶硅太陽能電
聲明：
“高光電轉換效率太陽能電池的制造方法及高光電轉換效率太陽能電池” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：信越化學工業株式會社
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2025年07月24日 ~ 26日 
