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    低密度ITO蒸鍍靶材的制備方法

    497   編輯:中冶有色網   來源:寧波甬興電子有限公司  
    2025-03-06 15:50:35
    權利要求 1.一種低密度ITO蒸鍍靶材的制備方法,其特征在于,包括以下步驟: 步驟一、根據成分配比要求,按照氧化銦90-97%、氧化錫3-10%的質量比進行混合得到混合粉體,然后摻入造粒助劑得到ITO漿料; 步驟二、將步驟一所得的ITO漿料進行造粒處理,得到ITO造粒粉體; 步驟三、將步驟二所得ITO造粒粉體分成兩部分,第一部分的ITO造粒粉體的質量百分含量為30-70%,第二部分的ITO造粒粉體的質量百分含量為30-70%,所述第一部分和第二部分ITO造粒粉體的質量總和為100%; 步驟四、將第一部分的ITO造粒粉體進行預燒處理,得到預燒粉體; 步驟五、將步驟四所得預燒粉體與第二部分的ITO造粒粉體混合,并進行預壓成型,得到ITO素坯; 步驟六、將步驟五所得ITO素坯放入脫脂爐中進行脫脂處理; 步驟七、將步驟六處理后的ITO素坯放入燒結爐內在常壓空氣氣氛中進行燒結處理,得到低密度ITO蒸鍍靶材。 2.根據權利要求1所述低密度ITO蒸鍍靶材的制備方法,其特征在于,步驟一中所述造粒助劑包括分散劑、粘結劑和潤滑劑;所述分散劑為聚丙烯酸銨,粘結劑為聚乙烯醇。 3.根據權利要求1所述低密度ITO蒸鍍靶材的制備方法,其特征在于,步驟一中所述混合粉體的平均粒徑D50為400nm。 4.根據權利要求1所述低密度ITO蒸鍍靶材的制備方法,其特征在于,步驟二中造粒處理的溫度為90-110℃。 5.根據權利要求1所述低密度ITO蒸鍍靶材的制備方法,其特征在于,步驟四中預燒處理的工藝條件為:燒結溫度為1300-1600℃,保溫時間為6-10h。 6.根據權利要求5所述低密度ITO蒸鍍靶材的制備方法,其特征在于,步驟四中所述燒結溫度的升溫速率為2℃/min。 7.根據權利要求1所述低密度ITO蒸鍍靶材的制備方法,其特征在于,步驟五中預壓成型的壓力為20-30MPa。 8.根據權利要求1所述低密度ITO蒸鍍靶材的制備方法,其特征在于,步驟六中脫脂處理的工藝條件為:脫脂溫度為500-800℃,保溫時間為4-8h。 9.根據權利要求1所述低密度ITO蒸鍍靶材的制備方法,其特
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