本發明公開了一種存儲器的形成方法,該方法包括:提供半導體襯底,所述半導體襯底內形成有下電極;在所述半導體襯底上淀積氧化物,形成位于所述半導體襯底上的氧阻擋層;在所述氧阻擋層上淀積金屬材料,形成位于所述氧阻擋層上的前軀體;對所述前軀體表面進行移除處理,使得所述前軀體表面的自然氧化層被移除;對前軀體進行氧化處理,使得前軀體轉換為功能材料層;對功能材料層進行退火處理;在所述功能材料層上形成上電極;圖形化上電極、功能材料層和氧阻擋層,形成存儲器,該方法因對前軀體進行氧化處理時使用的氧化性氣體被隔離在氧阻擋層之上,可以避免下電極被氧化,提高工藝的控制性,有利于提升存儲器特性。
聲明:
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