本發明揭示了一種制備納米晶電阻轉換材料和單元的方法,包括如下步驟:首先沉積超薄的電阻轉換存儲材料薄膜,隨后通過退火在基底上形成均勻的納米晶,再者通過功能材料的沉積形成對納米晶的包覆;重復上述三步,形成具有功能材料包覆的均勻的納米晶電阻轉換存儲材料和單元。本發明提出的制備納米晶電阻轉換存儲材料的工藝方法,可用于納米晶電阻轉換存儲器,解決無法制備均勻納米晶存儲材料的難題。本發明能夠大幅度提升存儲器的性能,提升器件的可靠性。
聲明:
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