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    MEMS諧振結構的加工方法

    760   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-18 15:04:02
    本發明公開一種MEMS諧振結構的加工方法,提供硅晶圓作為襯底硅,在襯底硅的表面生長第一掩膜層;在第一掩膜層上加工開口圖樣;通過干法刻蝕去除與開口圖樣對應部分的第一掩膜層以及襯底硅,在襯底硅上形成凹槽結構;生長第二掩膜層,在所述凹槽結構的凹槽側壁以及凹槽底部形成第二掩膜層,在所述襯底硅表面形成復合掩膜層;通過干法刻蝕去除所述第二掩膜層,使所述凹槽底部的所述第二掩膜層全部去除;通過干法刻蝕再次對所述襯底硅進行刻蝕,使所述凹槽結構加深,并使得新刻蝕的凹槽側壁上沒有掩膜層覆蓋;通過濕法刻蝕在所述襯底硅內部連通開口圖樣形成空腔;淀積下電極、壓電功能材料以及上電極;圖形化并通過干法刻蝕釋放諧振結構。
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    “MEMS諧振結構的加工方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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