本發明涉及一種SiC/SiC復合材料高致密多層基體及制備方法,將配置好的SiC顆粒(SiCp)漿料通過真空浸漬和壓力浸漬的方法,引入到多孔SiC/SiC復合材料中,然后采用CVI法在多孔SiC/SiC復合材料中制備一定含量的熱解碳,使其均勻包裹SiC顆粒,最后采用RMI法通過熱解碳與熔融硅的反應完成SiC/SiC復合材料的致密化。不同粒徑SiC顆粒的依次引入,形成分層結構,對后續制備PyC和SiC基體產生遺傳效應,獲得了均勻高體積分數的SiC基體相,增加了復合材料致密度,增加了裂紋擴展的能量,有效提高了復合材料力學性能。該方法制備的復合材料具有高體積分數均勻分布的SiC基體相,高的力學性能和低的開氣孔率,解決了目前RMI工藝方法制備SiC/SiC基體中SiC相含量低分布不均勻和強韌性不足的問題。
聲明:
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