本發明公開了一種鑲嵌C/C的C/SiC陶瓷基復合材料,由C/C復合材料和C/SiC陶瓷基復合材料組成,其特征在于在C/C復合材料周圍包裹一層C/SiC陶瓷基復合材料C/SiC陶瓷基復合材料厚度為5~20mm。在制備好的C/C復合材料表面包裹一層碳纖維編織體,通過聚碳硅烷液相浸漬熱解的方法向碳纖維編織體中滲入SiC,得到一種鑲嵌C/C的C/SiC陶瓷基復合材料。因為本發明的復合材料的內層是由C/C復合材料構成,其基體與增強相之間為同類,故其熱膨脹系數較為一致,材料整體抗熱震性能十分優異,膨脹系數低,強度高、比重輕等優點,且制備效率高,工藝簡單。
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“鑲嵌C/C的C/SiC陶瓷基復合材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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