本發明公開了一種所述陶瓷基復合材料結構的制備方法包括步驟:1)建立陶瓷基復合材料的三維結構的數字模型;2)將所述數字模型導入SLS設備,進行選擇性激光燒結,得到試件;3)對試件進行脫脂處理,得到坯體;4)坯體稱得質量為x1,然后放入密封袋中,且密封袋中注滿浸漬液,將密封袋送入CIP設備加壓處理,取出后得到濕坯體;5)對濕坯體進行高溫裂解處理,冷卻后稱得質量為x2;當x2<1.01*x1時即得陶瓷基復合材料結構件。將3D打印陶瓷技術與PIP法浸漬裂解工藝和CIP冷等靜壓技術相結合,實現了梯度點陣碳化硅陶瓷基復合材料結構的近凈成型,制備出高致密性的梯度點陣SiCp/SiC陶瓷基復合材料結構件。
聲明:
“陶瓷基復合材料結構的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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