本發明屬于納米材料技術領域,具體為一種限域界面定向錨定Pt單原子于N?AC1/N?AC2復合材料的方法。制備步驟包括:改性SiO2與酸化g?C3N4結合,制備g?C3N4/SiO2;g?C3N4/SiO2與鹽酸多巴胺反應,制備PDA/g?C3N4/SiO2復合材料;惰性氣體下煅燒;酸/堿除去SiO2,制備N?AC1/N?AC2空心球;負載鉑單原子。本發明巧妙的利用限域界面、較低溫定向錨定單原子技術,避免了常規方法中單原子的聚集失活現象的發生,提高了貴金屬的利用率,提升了材料性能。本發明工藝安全、操作簡單,可大幅降低生產成本,對環境幾乎沒有污染,便于大規模應用。
聲明:
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