本發明涉及一種基于二維二硫化鉬的半導體復合材料及其制備方法與應用,由以下重量百分比的組分組成:二硫化鉬?聚苯胺復合物20~30份,成膜基底65~80份,填料0~20份,交聯劑3~7份,有機溶劑280~350份。本發明首次公開二硫化鉬?聚苯胺為半導體介質,由于二硫化鉬特殊的二維納米結構,二硫化鉬與苯胺協同作用,使得在不添加導電粉體情況下,所述半導體復合材料在20℃的體積電阻率在5~13Ω·cm,應用前景廣泛。
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