本發明涉及一種通過脈沖電沉積在二氧化鈦管列陣上負載鎳納米顆粒,制備納米鎳/二 氧化鈦納米管列陣復合材料的方法,首先以金屬鈦為基底,利用陽極氧化法制備高度有序的 納米二氧化鈦管列陣,經焙燒后改善二氧化鈦半導體的性質,提高表面電子傳輸能力,再通 過脈沖電沉積法實現鎳納米顆粒均勻地負載TiO2納米管列陣之上,粒徑可控,顆粒均勻, 負載量可控。本發明方法制備的Ni/TiO2納米管列陣復合材料不僅可應用到超級電容器中, 而且還可應用到光催化產氫、催化劑以及磁性材料等方面。
聲明:
“納米鎳/二氧化鈦納米管列陣復合材料制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)