本發明屬于電子封裝材料領域,涉及一種制備具有負膨脹系數鱗片石墨/Cu復合材料的方法。選用平均粒徑400?2000μm、厚度40?50μm的鱗片石墨,進行敏化處理和活化處理,然后在鱗片石墨顆粒表面化學鍍覆Ni?P層,Ni?P層的厚度控制在300nm?3000nm范圍內,同時控制P在鍍層的含量為10%;將鍍覆后的鱗片石墨與銅粉末進行混合,石墨體積分數為50?60vol%,銅粉粒度為?325目,然后進行熱壓燒結,燒結溫度為650?800℃,壓力20?30MPa,保溫保壓時間為30?120min。通過鱗片石墨表面鍍Ni?P層,并控制鱗片石墨的體積分數,可將鱗片石墨/Cu的熱膨脹系數由目前的3ppm/K降低到0ppm/K以下,滿足特定封裝場合對材料要求負膨脹系數的要求。
聲明:
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