本發明涉及單相納米層狀陶瓷粉體及制備方法,具體為一種原位反應制備納米層狀Ta2AlC陶瓷粉體及其制備方法。所述納米層狀Ta2AlC陶瓷屬六方晶系,空間群為P63/mmc,單胞晶格常數a為3.08,c為13.85。它是優良的熱電導體,可以作為金屬基復合材料的增強相,也可以作為陶瓷基復合材料的弱界面相提高韌性,具有實際應用價值。單相Ta2AlC粉體具體制備方法是:首先,以鉭粉、鋁粉、石墨粉為原料,干燥條件下在樹脂罐中球磨5~30小時,過篩后裝入石墨模具中冷壓成型(5~20MPa),在真空或通有氬氣的爐內熱處理,升溫速率為5~20℃/分鐘,在1500~1650℃處理時間為20~120分鐘,冷卻后的樣品經除去表面雜質、破碎和過篩,獲得粉體。本發明制備的Ta2AlC陶瓷粉體具有純度高、顆粒度小和均勻性好的特點。
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