一種硫化物復合納米薄膜的制備方法,涉及電容器用復合材料。制備Co9S8納米針狀陣列;制備Co9S8?CuS三維納米復合結構;制備Co9S8?MoS2三維納米復合結構;制備Co9S8?NiS2三維納米復合結構。通過不同的濃度和比例的金屬鹽和硫脲的配比,通過簡單水熱合成的方法控制反應時間和溫度,在碳布上制備Co9S8?CuS等三維納米復合結構,制備出多種金屬硫化物納米結構包裹Co9S8納米針狀陣列的三維復合結構,該類結構形貌規則,且具有較大的比表面積,均勻穩定的電學性能,將其作為工作電極材料應用于超級電容器中,表現出優異的電學性能。該方法具有重復性高、操作簡單等優點,可大規模生產。
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