本發明提供了一種硫族半導體CdX復合H?TiO2基納米管陣列的制備方法,屬于納米復合材料技術領域。具體制備方法的步驟為:在含鈦金屬基體上,通過陽極氧化法制備納米管有序陣列;對所制備的TiO2納米管有序陣列進行晶化處理后,再進行表面氫化處理,得到H?TiO2基納米管陣列;對所制備的H?TiO2基納米管陣列與硫族半導體CdX進行復合,制備得到一種硫族半導體CdX復合的H?TiO2基納米管陣列。該TiO2納米管陣列復合材料原料廉價易得,制備方法簡單,結構高度有序,擁有較高的比表面積,化學性能穩定,光催化性能較好,光轉換率高,不僅可以作為光生陰極保護材料來使用,還可以作為光催化降解污染物材料來使用。
聲明:
“硫族半導體CdX復合H-TiO2基納米管陣列的制備” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)