本發明涉及摻雜鋰的金剛石:摻雜了鋰和氮的低 電阻率的n-型半導體金剛石,以及制備這種金剛石的方法。 低電阻率的n-型半導體金剛石一共包含 1017cm- 3或者更多的鋰原子和氮原子,其中鋰原子被摻 雜到碳原子晶格間隙位置,氮原子被摻雜到碳原子的置換位置 上,鋰和氮保持互相相鄰的排列。為了得到低電阻率的n-型 半導體金剛石,在金剛石氣相合成方法中,利用真空紫外光通 過光激發光離解源材料和用準分子激光照射鋰源材料以散射 并提供鋰原子,使得金剛石得以被制造出來。
聲明:
“低電阻率n-型半導體金剛石及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)