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    低電阻率n-型半導體金剛石及其制備方法

    843   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-18 23:00:32
    本發明涉及摻雜鋰的金剛石:摻雜了鋰和氮的低 電阻率的n-型半導體金剛石,以及制備這種金剛石的方法。 低電阻率的n-型半導體金剛石一共包含 1017cm- 3或者更多的鋰原子和氮原子,其中鋰原子被摻 雜到碳原子晶格間隙位置,氮原子被摻雜到碳原子的置換位置 上,鋰和氮保持互相相鄰的排列。為了得到低電阻率的n-型 半導體金剛石,在金剛石氣相合成方法中,利用真空紫外光通 過光激發光離解源材料和用準分子激光照射鋰源材料以散射 并提供鋰原子,使得金剛石得以被制造出來。
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