1.本發明屬于硅材料提純的技術領域,尤其是涉及一種硅材料提純裝置及方法。
背景技術:
2.進入21世紀以來,隨著礦石能源的日益枯竭及其應用過程中對環境的嚴重污染,促使光伏產業世界范圍內快速發展。我國在聯合國大會上明確提出,二氧化碳排放力爭于2030年前達到峰值,努力爭取2060年前實現碳中和。如果到了2060年,中國實現碳中和,核能的裝機容量是現在的5倍多,風能的裝機容量是現在的12倍多,而太陽能裝機容量會是現在的70多倍。光伏產能的迅速擴張使得多晶硅原料的需求大漲。
3.但是,光伏產業消耗的多晶硅會有近30%在硅棒加工過程中生成硅粉,2020年我國光伏產業多晶硅消耗量為54萬噸,意味著有16萬噸左右的硅粉產生。另一方面,光伏協會統計我國目前各型號單晶爐43900多臺,每爐每月生產3爐,每爐產生5公斤的鍋底料,則每年有近20000多噸的鍋底料產生。還有大量的原生多晶硅破碎過程中產生的落地料等。當前對于這些硅料還沒有實現科學的綜合循環利用,是對資源的極大浪費,也是制約光伏產業發展的瓶頸。
技術實現要素:
4.有鑒于此,本發明旨在提出一種硅材料提純裝置及方法,以緩解上述的技術問題。
5.為達到上述目的,本發明的技術方案是這樣實現的:
6.第一方面:
7.本發明提供了一種硅材料提純裝置,包括提煉爐、坩堝、真空機組、冷卻系統及加熱系統;所述提煉爐具有爐蓋和爐門;所述坩堝設于所述提煉爐的內部,所述真空機組與所述提煉爐連通,所述加熱系統設置于所述坩堝上,所述冷卻系統設置于所述坩堝的下方。
8.進一步地,還包括下料倉,所述下料倉具有加料口和下料管道,所述下料管道傾斜設置,且其底端位于所述提煉爐的內部,并位于所述坩堝的上方。
9.進一步地,所述加熱系統包括電磁感應線圈,所述電磁感應線圈圍繞所述坩堝的外部設置。
10.進一步地,所述加熱系統還包括引燃環和提拉裝置,所述引燃環位于所述坩堝的內部,所述引燃環與所述提拉裝置連接。
11.進一步地,所述提拉裝置包括第一機架、電機、減速齒輪組和提拉桿,所述第一機架設置于所述爐蓋上,所述電機和所述減速齒輪組固定于所述第一機架上,所述提拉桿的底端與所述引燃環固定連接,所述電機的動力輸出軸與所述減速齒輪組的輸入端連接,所述提拉桿與所述減速齒輪組的輸出端連接。
12.進一步地,所述冷卻系統包括下拉裝置和承托座,所述坩堝為筒狀結
聲明:
“硅材料提純裝置及方法與流程” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)