1.本發明涉及金屬單晶材料的制備技術領域，尤其涉及一種金屬單晶薄膜及其制備方法。
背景技術：
2.金屬材料具有單晶和多晶之分，相對于金屬多晶材料而言，金屬單晶材料具有單一取向、無疇界(grain boundary)存在的特性，能夠避免疇界所產生的缺陷，提升材料的強度；同時，還能夠避免疇界在高溫下造成的滑移，提高金屬的抗蠕變性，因此，金屬單晶通常被用作高溫、高強器件，比如航空航天發動機、航海發動機的葉片軸承等。
3.隨著半導體材料和二維材料的興起，越來越多的金屬被用作生長這類材料的襯底，金屬表面不僅在生長前驅體的解離和重組過程中發揮催化作用，而且在成核島長大過程中起到了生長模板的作用。由于金屬多晶表面具有不同的取向，導致半導體材料和二維材料也具有較多的取向，存在大量的疇界，難以生長出大面積、單一取向、缺陷較少的高質量材料；金屬單晶表面則能夠避免金屬多晶表面的劣勢，更有利于大面積、單一取向、缺陷較少的半導體材料和二維材料的形成。
4.因此，金屬單晶的制備顯得至關重要，但是現有的金屬單晶制備方法均無法對制備過程進行原位監測和調控，從而影響了金屬單晶薄膜質量的穩定性。
技術實現要素：
5.為了解決現有技術的不足，本發明提供一種金屬單晶薄膜及其制備方法，所述制備方法能夠實時對制備過程進行原位監測和調控，提升了金屬單晶薄膜的質量。
6.本發明提出的具體技術方案為：提供一種金屬單晶薄膜的制備方法，所述制備方法包括：
7.提供一襯底；
8.將所述襯底置于沉積設備中，在所述襯底上沉積金屬薄膜；
9.將沉積有所述金屬薄膜的襯底轉移至具有退火功能的成像設備中進行退火處理并通過所述成像設備原位觀測所述金屬薄膜的表面狀態；
10.根據所述金屬薄膜的表面狀態實時調整退火條件，以獲得具有單一性取向和表面原子級平整度的金屬單晶薄膜。
11.進一步地，所述襯底的材質為金屬氧化物。
12.進一步地，在步驟將所述襯底置于沉積設備中，在所述襯底上沉積金屬薄膜之前，所述制備方法還包括：
13.對所述襯底進行退火處理。
14.進一步地，步驟將沉積有所述金屬薄膜的襯底轉移至具有退火功能的成像設備中進行退火處理具體為：通過真空管道將沉積有所述金屬薄膜的襯底轉移至具有退火功能的成像設備中進行退火處理。
15.進一步地，所述真空管道、所述沉積設備以及所述退火爐的真空度均不大于1
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聲明：
“金屬單晶薄膜及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
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2025年07月23日 ~ 26日 
