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Q-One型納米級離子注入系統是一種先進的半導體制造設備，專為量子器件和先進材料工程設計。它能夠以納米級精度實現單離子的精確定位和注入，具備20納米的聚焦離子束和1納米的光學編碼器壓電驅動級，確保極高的離子放置精度。Q-One支持多種元素的注入，包括液態金屬離子源和雙等離子體源，可實現氧和氮的摻雜。其高分辨率電子柱提供4nm的詳細成像，用于現場驗證和過程控制。該系統不僅速度快、可擴展性強，還能在短時間內生成數百萬個精確定位的原子陣列，廣泛應用于單離子注入、量子器件制造、納米材料工程、光子系統和存儲設備等領域。
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無支架導軌模塊的輪廓儀是專為高精度磨損速率測量而設計的半導體測試設備。它通過精確測量涂層或基底材料的磨耗情況，為選擇最佳材料提供可靠數據。與傳統帶支架的輪廓儀相比，無支架導軌模塊能夠避免因摩擦表面測量不準確而導致的誤差（傳統設備測量結果可能高達實際值的3倍），從而確保測試結果的高精度和可靠性。該設備具備高分辨率（Z方向7.55nm），能夠在磨損不充分時繼續在同一軌道測試，無需移動樣品，顯著提升了測試效率和準確性，是半導體材料磨損測試的理想選擇。
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華礦重工有限公司推出的CMSW礦用本安型錨索（桿）無損檢測儀，是一款專為礦山巷道支護結構安全評估設計的便攜式智能檢測設備，適用于煤礦、金屬礦及隧道工程中錨索、錨桿的錨固質量檢測，可精準識別錨固段脫粘、斷裂、銹蝕及預緊力損失等隱患，為礦井支護穩定性提供科學依據。
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真空摩擦學系統是一種用于研究超高真空或大氣環境下兩個表面之間摩擦性質的設備。它適用于1到10N的負載范圍，能夠測量0.001到2的摩擦系數，并具備負載的閉環控制功能。系統配備2軸操縱器（帶加熱）用于摩擦球夾具，以及1軸操縱器（帶加熱和冷卻）用于平面樣品夾具。其壓力范圍從10?? mbar到1bar，可在氧氣、氫氣、水蒸氣和簡單碳氫化合物等氣氛中使用。該系統采用模塊化設計，可連接多種沉積模塊（如MBE、PLD、濺射）和分析模塊（如XPS、UPS、ARPES、IR等），并擁有專利號FR 15 55388，專利名稱為“用于測量摩擦力的高精度裝置”。
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江蘇神磁航材科技有限公司推出的SCPT-1000熒光滲透探傷設備，是一款專為金屬表面微裂紋、氣孔及冷隔等缺陷檢測設計的高精度無損檢測系統。
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檢查裝置配備有紅外光源和準直器光學器件，該準直器光學器件用具有均勻強度的光束照射晶片。紅外感應攝像頭通過USB接口在您的計算機上顯示被檢查基板的圖像。相機的視野和放大倍數可以手動調整。
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在MEMS制造中，構建三維結構或封裝通常需要兩個單芯片的精確對準和鍵合。使用芯片到芯片鍵合器（CCB），可以手動對齊兩個芯片。然后可以使芯片接觸，以進行陽極鍵合或各種膠合過程。單芯片對準級包括三個線性軸和三個旋轉軸，為大多數對準應用提供了足夠的自由度。下芯片夾在基板上，上芯片由針固定。兩個真空保持器都可以單獨調節和切換。為了執行陽極鍵合過程，提供了加熱板和高壓源。在控制器單元上調節鍵合電壓，該控制器單元監測電壓和鍵合電流。加熱板的溫度也在控制器單元上進行調節。
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亞測（上海）儀器科技有限公司推出的EPOCH 650金屬焊縫超聲波探傷儀，是一款集高性能超聲檢測與智能化分析功能于一體的便攜式無損檢測設備，專為工業焊縫、鑄件及壓力容器的內部缺陷檢測設計，廣泛應用于石油化工、船舶制造、電力工程及軌道交通領域。
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紅外光晶片檢測顯微鏡 硅對紅外光是透明的。我們的紅外光晶片檢測顯微鏡從背面照亮硅基板，并捕獲滲透到基板中的光。因此，可以檢查硅基板內部的現象，這些現象在傳統顯微鏡下是不可見的。 顯微鏡配備了一個長工作距離物鏡。三步變焦允許用戶選擇正確的視野和放大倍數。紅外感應攝像頭通過USB在您的計算機上顯示被檢查設備的圖像。5倍物鏡的分辨率優于3μm。 此外，還提供頂部照明。這允許在傳統模式下使用顯微鏡并檢查晶片的頂面。 紅外顯微鏡配備了一個xy工作臺，可容納8英寸或更小的晶片。該工作臺由電機驅動，可以用操縱桿控制。
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耐世博工業技術（蘇州）有限公司推出的GX113型工業光學內窺鏡檢測設備，是一款集高清成像、靈活操控與智能分析于一體的工業級無損檢測工具，專為復雜腔體內部缺陷的可視化檢測設計，廣泛應用于航空航天、能源電力、汽車制造及精密機械領域。
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薄膜電阻及厚度測試儀采用渦流檢測技術，可按照需求配置單個或多個針對不同樣品的高敏感探頭進行測量，并通過顯示模塊輸出。檢測最終輸出結果可顯示為薄膜電阻（Ohms/sq），薄膜電導(Mhos/sq），厚度(單位：um）等。
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婺源縣超越自動化設備有限公司研發的自動化焊縫無損探傷檢測儀，是一款集超聲（UT）、相控陣（PAUT）與機器視覺技術于一體的智能化檢測設備，專為工業管道、壓力容器及鋼結構焊縫的自動化檢測需求設計。
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深能級瞬態譜（Deep Level Transient Spectroscopy）是半導體領域研究和檢測半導體雜質、缺陷深能級、界面態等的重要技術手段。根據半導體P-N 結、金－半接觸結構肖特基結的瞬態電容（△C～t）技術和深能級瞬態譜（DLTS）的發射率窗技術測量出的深能級瞬態譜，是一種具有極高檢測靈敏度(檢測靈敏度通常為半導體材料中摻雜濟濃度的萬分之一)的實驗方法，能檢測半導體中微量雜質、缺陷的深能級及界面態。通過對樣品的溫度掃描，可以給出表征半導體禁帶范圍內的雜質、缺陷深能級及界面態隨溫度（即能量）分布的DLTS 譜。
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等離子體增強化學氣相沉積系統（PECVD）是一種用于薄膜半導體材料制備的高性能設備，能夠在較低溫度下借助等離子體的高活性促進化學反應，沉積出高質量的薄膜。該系統可沉積SiO?、Si?N?、類金剛石薄膜、硬質薄膜和光學薄膜等，最大沉積尺寸達12英寸。系統配備射頻淋浴源、空心陰極高密度等離子體源、感應耦合等離子體源或微波等離子體源，支持最高800°C的加熱溫度，均勻性優于±3%，并具備預抽真空室和自動晶片裝卸功能，實現全自動控制。
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等離子體增強原子層沉積（Plasma Enhance Atomic Layer Deposition，PEALD），也稱為原子層外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），或原子層化學氣相沉積（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）。原子層沉積是在一個加熱反應的襯底上連續引入至少兩種氣相前驅體源，化學吸附至表面飽和時自動終止，適當的過程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。一個基本的原子層沉積循環包括四個步驟：脈沖A，清洗A，脈沖B和清洗B。沉積循環不斷重復直至獲得所需的薄膜厚度，是制作納米結構從而形成納米器件極佳的工具。
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綿陽沃思測控技術有限公司研發的超聲波小管在線厚度測量儀ULTRAMAC，是一款專為金屬小管材（外徑≥3mm，壁厚0.2mm-10mm）生產過程實時監控設計的高精度非接觸式檢測設備。
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這款美國制造的多功能鍍膜系統專為研究所和研發部門設計，具備小容量、快速重復工作流程的特點，活性沉積區域最大直徑可達200mm（8英寸），適應多種襯底。系統可配備最多4個濺射源，支持連續沉積和聯合沉積模式，具備不同工作氣體控制功能。其磁控濺射源直徑有50mm、75mm和100mm可選，內置陰極角傾斜和擋板設計，配備直流、脈沖、高頻（HF或MF）電源，襯底可加熱、冷卻或加載RF/DC偏壓，還可添加預抽室，具有超高性價比，占用空間小，能夠滿足客戶對真空薄膜沉積的高性能要求。
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反應離子刻蝕系統（RIE）及深反應離子刻蝕系統（DRIE）是專為薄膜半導體材料制備和微納加工設計的高性能設備。RIE通過高頻電壓產生離子層，利用離子撞擊完成化學反應蝕刻，適用于高精度、高垂直度的刻蝕需求。DRIE系列則配備低溫晶片冷卻、偏置壓盤和2kW ICP源，能夠在10?3 Torr壓力下高效運行，支持深硅刻蝕等復雜工藝。系統具備鋁制或不銹鋼腔體、射頻源、高真空度、雙刻蝕容量、氣動升降蓋、手動/全自動裝卸樣品等功能，還可選配高密度等離子源、ICP源、低溫冷卻、終點探測等模塊。
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鈞一檢測技術(上海)有限公司推出的大屏便攜式超聲波探傷儀USM 36，是一款集專業檢測性能、大屏交互體驗與工業級耐用性于一體的高端無損檢測設備，專為復雜工件的高精度缺陷檢測與數據管理需求設計。
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電子束蒸發鍍膜系統（E-Beam Evaporator System）是由美國專業制造商生產的高性能薄膜制備設備，適用于薄膜半導體材料的制備。該系統具備電子束蒸發、熱阻蒸發、離子束輔助蒸發鍍膜（IBAD）和瀉流源等多種功能模式。其技術參數包括304不銹鋼圓柱形腔體（標準直徑18英寸和24英寸）、分子泵或冷凝泵真空系統、手動或自動傳片的Load Lock（適合200mm以下樣品）、PC/PLC自動控制界面、QCM和光學膜厚監控、RGA殘余氣體分析、多種襯底夾具（單片、多片、行星式）以及可加熱、冷卻、偏壓和旋轉的襯底支架。
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