安徽有色金屬加工設備

區域熔融純化設備 474     

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區域熔融純化設備襯使用真空成型高純氧化鋁聚輕材料，采用電阻絲為加熱元件。加熱元件與爐管平行，均勻地分布在爐管外，有效的保證了溫場的均勻性。測溫采用性能穩定、長壽命的“K"型熱電偶，直接和式樣接觸，以提高控溫的精確性。該設備采用PLC控制程序實現爐體移動與溫度控制同步，當設備達到設定溫度點后，爐體在PLC控制的電機驅動下，開始移動，碰到限位開關后自動返回(返回過程中爐體自然降

煅燒爐 476     

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煅燒爐，集控制系統與爐膛為一體。爐襯使用真空成型高純氧化鋁聚輕材料，加熱元件為優質硅碳棒。石英腔體橫穿于爐體中間作為爐管，爐管兩端用不銹鋼法蘭密封，工件式樣在腔體內加熱，加熱元件均勻分布于腔體下側，有效的保證了溫場的均勻性。測溫采用適用于高溫環境的“S"型熱電偶。煅燒爐能夠快速開啟，快速升降溫，方便客戶對特殊材料的裝載，燒制和觀察。爐體的控制面板配有智能溫度調節儀，控制電源開關、主加熱工作/停止按鈕，工作狀態指示燈，以便隨時觀察本系統的工作狀態。

立式高溫淬火爐 454     

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立式高溫淬火爐如圖所示，集控制系統與爐膛為一體。爐襯使用真空成型高純氧化鋁聚輕材料，采用電阻絲為加熱元件，用于催化劑焙燒，方便催化劑裝填和轉移。石英玻璃管橫穿于爐體中間作為爐膛，爐管上端用選用不銹鋼法蘭密封，下端可用根據用戶要求使用橡膠塞隔熱，配有不銹鋼雙層托架，可放置樣品。工件式樣在管中加熱，加熱元件與爐管平行，均勻地分布在爐管外，有效的保證了溫場的均勻性。測溫采用性能穩定、長壽命的“K”型熱電偶，直接和式樣接觸，以提高控溫的精確性。

石墨烯制備設備雙溫區滑軌式CVD系統 453     

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該石墨烯制備設備雙溫區滑軌式CVD系統系統由預熱爐、雙溫區滑軌爐、質子流量控制系統、真空系統三部分組成。CVD(化學氣象沉積系統)常用于表面材料生長、沉積，是一款實驗室常用設備。

碳納米膜制備設備 440     

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碳納米膜制備設備，由氣體質量流量計控制系統、液體注液系統、多段溫度可控多區生長系統、水冷卻系統、碳納米線或膜收集系統，紅外烘干系統等組成。生長爐的最高溫度1400℃，并可在0-1400℃之間連續可調，垂直式分布熱場，三點控溫(三段長度平均分配)，設備頂部設有注液口、導流器。爐體采用雙層殼體結構并帶有風冷系統，保溫材料為加厚型，殼體表面溫度小于60℃。采用高純氧化鋁管作為爐膛材料，加熱元件為優質硅碳棒。本款碳納米管或膜CVD設備可以實現連續生長不間斷的特點。

澆注機 563     

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本設備由澆注機車體(包括縱向驅動裝置)、傾轉機構(包括橫向移動裝置)、換包機動輥道、隨流孕育裝置、車上機動輥道、澆包、操作室(包括電氣控制柜及操縱臺)等組成?？膳涮赘鞣N形式的鑄造生產線使用。

高溫鐘罩爐 1829     

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高溫鐘罩爐設計用于陶瓷材料、電子元件、磁性材料、粉末冶金等產品的排膠、預燒和燒成，也可用于特種電子陶瓷元件在保護氣氛下燒結之用。該電阻爐熱工材料選用高品質的節能型進口泡沫磚和纖維制品砌筑而成，加熱元件1800型優質硅鉬棒加熱，硅鉬棒四面布置?？刂苾x表選用日本進口64段程序控制儀表，設備具有控溫穩定、性能優越、能耗較低、爐膛潔凈等優點，非常適合企業中、小批量生產和科研之用。

高溫箱式爐 1745     

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?設備型號：GXL-15 ?最高溫度：1600℃ ?使用溫度：RT～1500℃ ?爐膛有效容積：200×185×400mm(W×H×D) ?爐膛材料：進口氧化鋁、高鋁和硅酸鋁纖維制品 ?加熱元件：優質U型硅鉬棒（1800型） ?控溫點數：1個（B分度熱偶） ?控溫精度：±1℃ ?溫度均勻性：±5℃（溫度1000℃以上，有效區域為爐膛濃縮10%） ?溫控系統：日本進口64段程序控溫儀表，PID參數自整定，超溫、斷偶報警等保護。 ?最大加熱功率：約12kW ?空爐保溫功率：約5Kw ?供電電源：三相電源，50HZ ，380V±10%；15KW ?爐體表面溫升： ≤35℃

石墨烯生長專用設備——雙溫區滑軌CVD系統 2151     

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滑軌式快速升降溫爐是專為生長薄膜石墨烯研制的，也同樣適用于要求升降溫速度比較快的CVD實驗，操作時可將實驗需要的恒定高溫直接推到樣品處，使樣品能得到一個快速的升溫速度，同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處，使樣品直接暴露在室溫環境下，得到快速的降溫速率。