全部
▼
熱搜：
405
0
多高度探針用于測量各種材料和樣品尺寸。由25厘米寬、29厘米深、0.8厘米厚的硬質陽極氧化鋁底座組成。一根直徑為19mm、高度為20cm的不銹鋼柱（用螺絲固定在底座上）支撐探頭的升降機構，包括垂直滑動、操作桿軸和微型開關。垂直滑動帶著探頭，由夾緊螺釘固定。探針頭的位置應確保在探針接觸之前，微動開關不會通過電流。丟失動作確保在探頭升起之前切斷電流。探針臂可以很容易地定位在垂直軸上的不同高度，以允許對扁平材料或大或厚材料進行探測。
417
0
俄歇電子能譜及低能電子衍射分析系統是一種用于薄膜及合金表面深度分析的設備，結合了俄歇電子能譜（AES）、低能電子衍射（LEED）和氬離子濺射深度分析技術。它能夠實現對薄膜和合金的元素組成、原子結構和深度分布的“亞納米級”精度分析，適用于大范圍樣品的半自動化操作。系統配備延遲型區域分析器、雙靜電透鏡電子槍、磁場內電子沖擊離子源、線型磁動樣品傳輸臂和超高真空腔體等組件，支持樣品預抽真空室（load-lock腔室），具備高精度和高真空度的特點，可用于多種材料的表面分析。
295
0
單點開爾文探針是一種高精度、非接觸、非破壞性的振動電容裝置，專門用于測量導電材料的功函或半導體材料表面的表面電勢和表面功函。這種技術對材料表面最頂部的1-3層原子或分子非常敏感，因此是一種極其靈敏的表面分析方法。KP Technology公司提供的單點開爾文探針系統具有業界最高的分辨率，功函分辨率小于3meV，支持手動高度調節。它廣泛應用于有機和非有機半導體、金屬、薄膜、太陽能電池、有機光伏材料以及腐蝕研究等領域。
175
0
泰琛測試技術（上海）有限公司推出的工業CT無損檢測設備，是一款基于X射線斷層掃描成像技術的高精度三維檢測系統，專為復雜工業零部件的內部缺陷分析、尺寸測量及結構驗證設計，廣泛應用于航空航天、汽車制造、電子半導體、醫療器械及新能源電池等領域，可精準識別氣孔、裂紋、夾雜、裝配缺陷及幾何尺寸偏差，符合ASTM E1441、VDI/VDE 2630等國際標準。
303
0
非接觸式全自動曲率及薄膜應力測試儀是一種高精度的測量設備，用于全自動二維或三維測量彎曲、弧度、坡度和表面曲率，并計算硅片和玻璃基板的薄膜應力。它采用平板掃描技術，通過測量垂直入射激光束的反射角變化來精確計算表面形狀，適用于硅片、鏡子、X射線鏡、金屬表面或拋光聚合物等多種反射表面的平整度、波紋度和平均半徑測量。
427
0
球磨測厚儀是一種用于快速測量硬涂層（鍍層）厚度的儀器，適用于PVD、CVD、磁控濺射、離子鍍、蒸發、陽極氧化、電鍍和化學涂層等多種涂層類型。其控制單元配備可編程微處理器，可調節速度、時間、球型和X、Y直徑，支持自動厚度校準。顯微鏡放大倍數為100倍，配備LED光源和0.02mm刻度的目鏡。球磨速度可控，范圍為200-1000轉/分鐘，球型直徑有10-30mm可選，工作時間范圍為1-30分鐘。測量精度受表面粗糙度、涂層對比度和顯微鏡性能影響，測試范圍內精度為5%，鍍層厚度低于1微米時精度為10%。
409
0
涂層附著力檢測儀是一種用于檢測PVD和CVD涂層（鍍層）粘附效果的高效設備。它通過快速簡易的壓痕測試，直觀評估涂層的附著力，尤其適用于半導體制造中的薄膜檢測。設備采用寶石探針，使用壽命長，性價比高，是劃痕儀的10倍。其控制單元配備可編程微處理器，可實現載荷、時間和探針-顯微鏡距離的校準，載荷范圍為147-1471N（15-150Kg）。顯微鏡放大倍數為100倍，配備LED光源，目鏡最小刻度為0.02mm，樣品臺最大尺寸為45mm，還配備3.6英寸顯示器，便于觀察和記錄測試結果。
411
0
Q-One型納米級離子注入系統是一種先進的半導體制造設備，專為量子器件和先進材料工程設計。它能夠以納米級精度實現單離子的精確定位和注入，具備20納米的聚焦離子束和1納米的光學編碼器壓電驅動級，確保極高的離子放置精度。Q-One支持多種元素的注入，包括液態金屬離子源和雙等離子體源，可實現氧和氮的摻雜。其高分辨率電子柱提供4nm的詳細成像，用于現場驗證和過程控制。該系統不僅速度快、可擴展性強，還能在短時間內生成數百萬個精確定位的原子陣列，廣泛應用于單離子注入、量子器件制造、納米材料工程、光子系統和存儲設備等領域。
281
0
無支架導軌模塊的輪廓儀是專為高精度磨損速率測量而設計的半導體測試設備。它通過精確測量涂層或基底材料的磨耗情況，為選擇最佳材料提供可靠數據。與傳統帶支架的輪廓儀相比，無支架導軌模塊能夠避免因摩擦表面測量不準確而導致的誤差（傳統設備測量結果可能高達實際值的3倍），從而確保測試結果的高精度和可靠性。該設備具備高分辨率（Z方向7.55nm），能夠在磨損不充分時繼續在同一軌道測試，無需移動樣品，顯著提升了測試效率和準確性，是半導體材料磨損測試的理想選擇。
398
0
真空摩擦學系統是一種用于研究超高真空或大氣環境下兩個表面之間摩擦性質的設備。它適用于1到10N的負載范圍，能夠測量0.001到2的摩擦系數，并具備負載的閉環控制功能。系統配備2軸操縱器（帶加熱）用于摩擦球夾具，以及1軸操縱器（帶加熱和冷卻）用于平面樣品夾具。其壓力范圍從10?? mbar到1bar，可在氧氣、氫氣、水蒸氣和簡單碳氫化合物等氣氛中使用。該系統采用模塊化設計，可連接多種沉積模塊（如MBE、PLD、濺射）和分析模塊（如XPS、UPS、ARPES、IR等），并擁有專利號FR 15 55388，專利名稱為“用于測量摩擦力的高精度裝置”。
296
0
檢查裝置配備有紅外光源和準直器光學器件，該準直器光學器件用具有均勻強度的光束照射晶片。紅外感應攝像頭通過USB接口在您的計算機上顯示被檢查基板的圖像。相機的視野和放大倍數可以手動調整。
339
0
在MEMS制造中，構建三維結構或封裝通常需要兩個單芯片的精確對準和鍵合。使用芯片到芯片鍵合器（CCB），可以手動對齊兩個芯片。然后可以使芯片接觸，以進行陽極鍵合或各種膠合過程。單芯片對準級包括三個線性軸和三個旋轉軸，為大多數對準應用提供了足夠的自由度。下芯片夾在基板上，上芯片由針固定。兩個真空保持器都可以單獨調節和切換。為了執行陽極鍵合過程，提供了加熱板和高壓源。在控制器單元上調節鍵合電壓，該控制器單元監測電壓和鍵合電流。加熱板的溫度也在控制器單元上進行調節。
224
0
亞測（上海）儀器科技有限公司推出的EPOCH 650金屬焊縫超聲波探傷儀，是一款集高性能超聲檢測與智能化分析功能于一體的便攜式無損檢測設備，專為工業焊縫、鑄件及壓力容器的內部缺陷檢測設計，廣泛應用于石油化工、船舶制造、電力工程及軌道交通領域。
226
0
紅外光晶片檢測顯微鏡 硅對紅外光是透明的。我們的紅外光晶片檢測顯微鏡從背面照亮硅基板，并捕獲滲透到基板中的光。因此，可以檢查硅基板內部的現象，這些現象在傳統顯微鏡下是不可見的。 顯微鏡配備了一個長工作距離物鏡。三步變焦允許用戶選擇正確的視野和放大倍數。紅外感應攝像頭通過USB在您的計算機上顯示被檢查設備的圖像。5倍物鏡的分辨率優于3μm。 此外，還提供頂部照明。這允許在傳統模式下使用顯微鏡并檢查晶片的頂面。 紅外顯微鏡配備了一個xy工作臺，可容納8英寸或更小的晶片。該工作臺由電機驅動，可以用操縱桿控制。
288
0
薄膜電阻及厚度測試儀采用渦流檢測技術，可按照需求配置單個或多個針對不同樣品的高敏感探頭進行測量，并通過顯示模塊輸出。檢測最終輸出結果可顯示為薄膜電阻（Ohms/sq），薄膜電導(Mhos/sq），厚度(單位：um）等。
404
0
深能級瞬態譜（Deep Level Transient Spectroscopy）是半導體領域研究和檢測半導體雜質、缺陷深能級、界面態等的重要技術手段。根據半導體P-N 結、金－半接觸結構肖特基結的瞬態電容（△C～t）技術和深能級瞬態譜（DLTS）的發射率窗技術測量出的深能級瞬態譜，是一種具有極高檢測靈敏度(檢測靈敏度通常為半導體材料中摻雜濟濃度的萬分之一)的實驗方法，能檢測半導體中微量雜質、缺陷的深能級及界面態。通過對樣品的溫度掃描，可以給出表征半導體禁帶范圍內的雜質、缺陷深能級及界面態隨溫度（即能量）分布的DLTS 譜。
471
0
等離子體增強化學氣相沉積系統（PECVD）是一種用于薄膜半導體材料制備的高性能設備，能夠在較低溫度下借助等離子體的高活性促進化學反應，沉積出高質量的薄膜。該系統可沉積SiO?、Si?N?、類金剛石薄膜、硬質薄膜和光學薄膜等，最大沉積尺寸達12英寸。系統配備射頻淋浴源、空心陰極高密度等離子體源、感應耦合等離子體源或微波等離子體源，支持最高800°C的加熱溫度，均勻性優于±3%，并具備預抽真空室和自動晶片裝卸功能，實現全自動控制。
456
0
等離子體增強原子層沉積（Plasma Enhance Atomic Layer Deposition，PEALD），也稱為原子層外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），或原子層化學氣相沉積（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）。原子層沉積是在一個加熱反應的襯底上連續引入至少兩種氣相前驅體源，化學吸附至表面飽和時自動終止，適當的過程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。一個基本的原子層沉積循環包括四個步驟：脈沖A，清洗A，脈沖B和清洗B。沉積循環不斷重復直至獲得所需的薄膜厚度，是制作納米結構從而形成納米器件極佳的工具。
435
0
這款美國制造的多功能鍍膜系統專為研究所和研發部門設計，具備小容量、快速重復工作流程的特點，活性沉積區域最大直徑可達200mm（8英寸），適應多種襯底。系統可配備最多4個濺射源，支持連續沉積和聯合沉積模式，具備不同工作氣體控制功能。其磁控濺射源直徑有50mm、75mm和100mm可選，內置陰極角傾斜和擋板設計，配備直流、脈沖、高頻（HF或MF）電源，襯底可加熱、冷卻或加載RF/DC偏壓，還可添加預抽室，具有超高性價比，占用空間小，能夠滿足客戶對真空薄膜沉積的高性能要求。
451
0
反應離子刻蝕系統（RIE）及深反應離子刻蝕系統（DRIE）是專為薄膜半導體材料制備和微納加工設計的高性能設備。RIE通過高頻電壓產生離子層，利用離子撞擊完成化學反應蝕刻，適用于高精度、高垂直度的刻蝕需求。DRIE系列則配備低溫晶片冷卻、偏置壓盤和2kW ICP源，能夠在10?3 Torr壓力下高效運行，支持深硅刻蝕等復雜工藝。系統具備鋁制或不銹鋼腔體、射頻源、高真空度、雙刻蝕容量、氣動升降蓋、手動/全自動裝卸樣品等功能，還可選配高密度等離子源、ICP源、低溫冷卻、終點探測等模塊。
中冶有色為您提供最新的上海有色金屬設備優質商品信息，包括品牌，廠家，圖片、規格型號、用途、原理、技術參數、性能指標等。
2025年09月12日 ~ 14日 
2025年08月21日 ~ 23日 
2025年08月19日 ~ 21日 
2025年08月18日 ~ 20日 
2025年08月15日 ~ 17日 
