福建漳州有色金屬材料制備及加工技術理論與應用

負泊松比開孔泡沫鋁材料及其滲流鑄造制備方法與流程 908     

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本發明涉及一種泡沫鋁材料及其制備方法，尤其涉及一種負泊松比開孔泡沫鋁材料及其制備方法。背景技術負泊松比材料又稱為拉脹材料(Auxetic)，是一類泊松比為負數的特殊材料，當材料發生拉伸變形時，垂直于載荷的方向會發生側向膨脹；而當材料發生壓縮變形時，垂直于載荷的方向會發生側向收縮。由于負泊松比材料具有獨特的負泊松比特性和材料集中效應，使其在剪切模量、抗斷裂韌性、壓痕阻力以及能量吸收和抗沖擊性能方面都比相同組成、相同密度的正泊松比材料更加優異。目前用于防護結構的負泊松比材料主要為負泊松比微結構材料，

半導體工藝設備及其工藝腔室的制作方法 1188     

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.本申請涉及半導體制造領域，具體而言，本申請涉及一種半導體工藝設備及其工藝腔室。背景技術.目前，在半導體工藝后段的鈍化層(passivationlayer)工藝中，鋁墊(alpad)作為集成電路中的重要的一道工序，形成在金屬互連層上端；其作為測試電性連接和封裝的引線端，對后續的封裝工藝起到承上啟下的作用。在集成電路制造過程中，幾乎所有的半導體器件在其制造過程都要使用鋁墊(alpad)用于其后道金屬互聯，作為導線傳遞各器件的電信號，通過后續封裝引線實現各器件的連接控制。.現有技術中采用

在20~150℃范圍內熱膨脹系數近零的鎂基復合材料及其制備方法和應用 1289     

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一種在～℃范圍內熱膨脹系數近零的鎂基復合材料及其制備方法和應用技術領域.本發明屬于金屬復合材料技術領域，具體涉及一種在～℃范圍內熱膨脹系數近零的鎂基復合材料及其制備方法和應用。背景技術.鎂合金作為一種新型的綠色結構材料，具有金屬結構材料中最低的密度，僅為.g/cm，其比剛度高、電磁屏蔽性能好、導熱導電性能優良且環境友好，不僅在汽車工業、航空航天等輕量化進程中扮演著重要角色，且在電子器件領域引起了極大的關注，如led散熱器、筆記本外殼等。.在電子元器件制造領域，

壓鑄用鋁合金以及對其進行熱處理的方法與流程 967     

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本發明涉及可適用于壓鑄的鋁合金組合物及對其進行熱處理的方法。具體而言，鋁合金組合物可包括通過熱處理形成的Mg-Zn基強化相沉淀，因此其可具有大大改善的強度。背景技術由于易于鑄造、與其他金屬高效地形成合金、在空氣中顯示出高耐腐蝕性并具有高導電導熱性，鋁在工業中已得到廣泛應用。具體而言，鋁主要被用于減輕車輛重量并提高燃料效率，且通過將鋁與其他金屬混合而以鋁合金的形式提供，因為與其他金屬例如鐵相比，鋁本身的強度可能不足。通過壓鑄制造鋁合金，其是一種精密的鑄造工藝，其中將熔融金屬注入具有空腔的模具中，由

應用于蒸鍍鍍金工藝的坩堝的制作方法 742     

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本實用新型涉及一種LED蒸鍍設備鍍金工藝技術領域，更具體地說，它涉及一種應用于蒸鍍鍍金工藝的坩堝。背景技術蒸鍍是LED加工過程中的一個重要環節，即在真空腔體內加熱有機小分子材料，使其升華或者熔融氣化成材料蒸汽，透過金屬光罩的開孔沉積在基板上。在傳統的LED蒸鍍鍍金工藝中，鍍金的坩堝直接放在水冷底座的上方，這樣的方式，具有以下缺點：1、坩堝直接與底座接觸，底座內有冷卻水裝置，受水冷影響，電子槍加熱過程需要更高的能量；2、蒸鍍過程，坩堝外壁溫度低，坩堝內的黃金在溶化過程，電子槍打坩堝中心位置，黃金在

高導熱表面金屬化金剛石/銅復合基板制備方法 841     

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.本發明涉及金屬基復合材料技術領域，尤其是涉及一種高導熱表面金屬化金剛石/銅復合基板制備方法。背景技術.隨著功能強大、小巧便攜移動電子產品的迅速發展，電子元器件的尺寸越來越小，電路集成度也越來越高、使用頻率越來越高，相應地對電子封裝材料的穩定性和可靠性及散熱性能等提出了更高的要求，因此，電子封裝材料要適應半導體技術的發展需求，則必須充分兼顧多項參數如熱導率(tc)、熱膨脹系數(cte)、密度、強度及合理的封裝工藝等。.傳統的電子封裝材料多釆用易于加工的合金材料，然而多數情況下合金難以兼具綜

正電性金納米簇及其制備方法與應用 1169     

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.本發明屬于功能性生物納米材料技術領域，具體涉及一種正電性金納米簇及其制備方法與應用。背景技術.熒光金納米簇因其超微小尺寸、明確的結構組成、化學惰性、良好的生物安全性和特殊的熒光發射能力，在化學、生物和醫學領域有潛在的應用價值。目前用于制備熒光金納米簇的方法主要有兩類：()刻蝕法，即通過合適的刻蝕分子把不發光、尺寸較大的金納米顆?？涛g成可發射熒光且粒徑較小的金納米簇；()模板法，即以蛋白質、多肽、核酸、小分子等作為穩定劑和金離子反應，限制金納米顆粒的生長，使金離子主要還原成熒光金納米簇。

高致密度、成分可控的高硅鋁合金材料及制備方法與流程 590     

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.本發明涉及合金加工技術領域，尤其涉及一種高致密度、成分可控的高硅鋁合金材料及制備方法。背景技術.高硅鋁合金材料具有熱膨脹系數低、導熱性好、硬度高、比強度高、耐磨性好、比重小等諸多突出優點，在汽車、電子、航空、航天等領域具有廣泛應用，尤其是在電子封裝材料和汽車發動機活塞材料等領域，具有廣泛的應用潛力。目前常用的幾種制備高硅鋁合金材料的工藝存在以下問題：()采用熔煉鑄造的方法制備高硅鋁合金材料會使組織中產生粗大的板片狀初晶硅和針狀的共晶硅，嚴重割裂了基體，尖端處還會產生應力集中，降低了強度、

鋁合金PVD結構、鋁合金裝飾件及電子設備的制作方法 878     

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鋁合金pvd結構、鋁合金裝飾件及電子設備【技術領域】.本實用新型涉及表面處理技術領域，具體的涉及一種鋁合金pvd結構、鋁合金裝飾件及電子設備?！颈尘凹夹g】.電池蓋是一種安裝在手機背面的手機外觀配件，主要起保護、裝飾等功能，因此一般電池蓋上裝有鋁合金裝飾件，以提升美觀度。目前，隨著柔性屏和折疊技術的發展，折疊手機成為未來趨勢，折疊手機設有用于折疊的轉軸，轉軸的表面通常為不銹鋼或者液態金屬并進行pvd鍍膜(pvd，即物理氣相沉積技術，表示在真空條件下，采用物理方法，將材料蒸發成氣態原子、分子或部

硫化亞錫/金納米顆粒復合物及其制備方法和應用與流程 570     

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本發明涉及的是一種硫化亞錫誘導生長金納米顆粒的自組裝方法，屬于納米材料制備領域。背景技術硫化亞錫是性能優良的P型半導體，在很多領域具有廣泛的應用，可用作晶體管、傳感器、太陽能電池、開關、電池電極等。不同于諸如石墨烯等零隙半導體的是，硫化亞錫有帶隙，且為間接帶隙，并且其帶隙和原子層數有重要的聯系，層數越薄帶隙越大。也不同于過度金屬二維材料如二硫化鉬，硫化亞錫從塊體到單層都是間接帶隙。但目前硫化亞錫和金納米顆粒的復合物制備方法還鮮有報道。金納米顆粒的合成一般采用溶液化學還原的方法，如用乙二醇或是硼氫

超薄碳包覆無定形/晶體異質相NiFe合金納米材料及其制備方法和應用 593     

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一種超薄碳包覆無定形/晶體異質相nife合金納米材料及其制備方法和應用技術領域.本發明屬于納米材料技術領域，尤其涉及一種超薄碳包覆無定形/晶體異質相nife合金納米材料及其制備方法和應用。背景技術.析氧反應(oer)在各種可再生能源技術中起著至關重要的作用，例如電化學水分解、可充電金屬?空氣電池以及co還原為化學品或燃料。然而，oer是一個復雜的四電子耦合反應，導致緩慢的動力學，限制了其整體能源效率。因此，高性能oer電催化劑的設計至關重要。目前，ruo/iro等貴金屬材料被認為是最有

高耐蝕高強韌FeCrNi系多主元合金及其制備方法與流程 1246     

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本發明屬于合金材料技術領域，具體涉及一種高耐蝕高強韌fecrni系多主元合金及其制備方法。背景技術高強韌、高耐腐蝕性能及良好加工性能材料是工程結構材料的主要發展方向，在航空航天、海洋、汽車和石油等領域有廣泛的應用前景。目前常見的有鈦合金、奧氏體不銹鋼等。鈦合金具有高強韌、耐腐蝕性能好、密度低等特點，目前在航空航天、海洋等高端領域應用較多，然而因其活性高，熔煉、塑性加工等都非常困難，導致其價格昂貴，限制了大規模應用。奧氏體不銹鋼(如304、316鋼等)具有良好的耐腐蝕性能、優異的加工性能及相對較低

長壽命銅錳合金靶材的加工方法與流程 562     

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本發明屬于靶材制造技術領域，特別涉及一種長壽命銅錳合金靶材的加工方法。背景技術濺射靶材是半導體集成電路制備過程中重要的原材料之一，靶材的材質主要包括Al、Cu、Ti、WTi、NiV、NiPt等，主要用于集成電路中接觸、通孔、互連線、阻擋層、封裝等物理氣相沉積薄膜的制備。濺射過程中，用加速的離子轟擊靶材表面，使表面的原子沉積在基底表面。為了降低集成電路制造成本，最簡單有效的方法是提高靶材壽命，常規提高靶材壽命的方法為增加濺射區域厚度。專利CN204097558U、CN201793723U、CN20

可量產化的電解鉻片脫氣工藝的制作方法 1050     

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本發明屬于有色金屬高溫冶煉領域，特別涉及一種可以量產化的電解鉻片脫氣的生產工藝。解決了國內沒有量產化高純鉻片的問題。背景技術高純金屬鉻是指主成分鉻大于99.95％，雜質含量低，特別是氧、碳、氮、硫含量低的鉻。其中，氧小于0.04％，碳小于0.025％，氮小于0.003％，S小于0.002％。高純金屬鉻主要用作超級合金添加劑-生產飛機渦輪機的葉片，電氣的觸頭、半導體、芯片濺射靶材等領域。其中高端半導體、芯片、精密電子產品、汽車活塞環以及光學材料鍍膜的鉻靶，是由高純脫氣鉻片/粒破碎后，熱等靜壓成型。

納米晶合金帶材及其制備方法與流程 1013     

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本發明涉及軟磁材料領域，尤其涉及一種鐵基的納米晶合金帶材，主要包括其成分設計、制備方法、帶材質量評價等。背景技術非晶軟磁合金具有優良的軟磁性能，廣泛應用于電力電子、電子信息等領域。隨著信息處理和電力電子技術的快速發展，各種電器設備趨向高頻化、小型化、節能化。目前使用較多的軟磁合金主要有硅鋼、鐵基非晶合金、鐵基納米晶合金、鐵氧體等。相對于硅鋼而言，鐵基非晶及納米晶合金具有較低的損耗，但其bs(飽和磁感應強度)較低，不利于設備的小型化及輕量化，所以高bs的軟磁合金具有很好的應用前景。根據文獻報道對于

二硫化鉬/石墨烯復合異質結及其制備方法與流程 690     

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.本發明屬于碳基材料技術領域，特別涉及一種二硫化鉬/石墨烯復合異質結及其制備方法。背景技術.二次電子發射也稱為電子倍增效應，二次電子的發射過程主要包括三部分：①初始電子進入材料內部并激發內二次電子，②被激發的內二次電子向表面運動，③運動到表面的內二次電子克服表面勢壘并出射成為真二次電子。.近年來，雖然我國在通信、航天領域和衛星大功率部件的設計方面取得明顯地進步，但是電子倍增效應仍然是制約微波部件功率容量提升的一項瓶頸，也是影響高功率微波部件穩定性的重要原因。微放電效應的發生會容易造成嚴重后

超高強鑄造鋁合金輪轂材料ZL350/500及其制造工藝的制作方法 488     

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一種超高強鑄造鋁合金輪轂材料zl/及其制造工藝技術領域.本發明屬于一種鑄造鋁合金技術領域，涉及一種鑄造鋁合金材料及制造工藝，特別是一種超高強度鑄造鋁合金材料zl/及其制造工藝，用于制造車用超高強鋁合金輪轂，同時也適用于大量使用超高強度、輕質的鋁合金新材料領域。背景技術.隨著汽車在中國的普及，巨大的汽車保有量和生產量，使汽車輕量化的要求越來越迫切。輪轂是承載汽車全部重量和高速度旋轉的關鍵部件，對其使用的新材料提出了更嚴苛的要求。目前，世界上的大部分高檔商用車采用鋁合金材

超細晶青銅材料的制備方法與流程 1311     

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.本發明涉及材料加工工藝領域，特別是涉及一種超細晶青銅材料的制備方法。背景技術.青銅沖壓材料一般分為普通沖壓材料和超細晶材料兩類。普通沖壓材料主要以銅原材料，經鑄造成型、軋制加工、退火和拉矯等工藝制成。超細晶青銅材料是用于半導體行業的一種用新方法生產的芯片材料，其廣泛應用于新能源汽車、軌道交通、航天航空、醫療、軍工等具體的領域，有利于進行多次沖壓折彎生產的、具有復雜角度的芯片的生產。超細晶材料具有板型較好、可折彎性強等優點，但一般成本較高，生產難度大，不利于大規模生產。發明內容.基于此，有

薄壁銅基合金玻璃模具的制備方法與流程 601     

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.本發明屬于銅基合金玻璃模具制備技術領域，尤其涉及一種薄壁銅基合金玻璃模具的制備方法。背景技術.玻璃模具是用來生產玻璃制品的重要工具裝備，玻璃模具的產品質量直接決定玻璃制品的質量。玻璃模具在使用過程中一直與高溫熔融態玻璃直接接觸，玻璃模具在接觸到玻璃后會產生復雜多變的物理反應和化學反應，同時玻璃模具與玻璃產品之間還會產生反復的摩擦，這就要求玻璃模具具有耐高溫、耐腐蝕、耐磨損及良好的導熱性能、抗氧化能力和抗熱疲勞能力，以保證最終生產出來的玻璃制品的外觀、性能和使用壽命符合要求，而銅基合金模具可

金納米顆粒分散體、金納米顆粒及其制備方法與流程 785     

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.本發明涉及金納米材料技術領域，具體涉及一種金納米顆粒、分散體及其制備方法。技術背景.金納米顆粒具有獨特的光學、熱學、電學、穩定性，在廣泛應用于催化、電子、醫學、傳感等諸多領域。.目前金納米顆粒的合成方法主要分為物理法和化學法。物理法即采用高物理能量，將金塊制備成納米級的小顆粒。主要的物理法包括球磨法、氣相法、電弧法、金屬蒸汽溶劑法、熱分解法等，然而現有的物理法均存在產量低、設備成本高、能量消耗大的問題?；瘜W法主要是通過氧化還原反應，將金鹽中的金離子還原成金粉末。主要的化學法包括水相氧化還

Au@Pt核殼結構納米電極、制備方法及其應用與流程 1078     

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本發明屬于材料的制備領域，具體涉及一種Au@Pt核殼結構納米電極、制備方法及其應用。背景技術隨著科學技術和設備的發展更新，納米電極的發展越來越快，利用新的儀器和操作方法，我們可以制備和表征更小尺寸的電極。納米電極一般是指尺寸小于100nm的電極，由于納米電極的臨界尺寸(如：納米盤電極的半徑，納米孔電極的半徑及深度，納米線電極的長度納米帶電極的寬度等)與分子的尺寸接近，因而納米電極在分子研究領域發展迅速。盡管對納米電極的制作和電化學研究很多，但大多處于初級階段，還需對其做深入研究。納米電極具有很多

用于氣閥的鎳基合金材料及其制備方法與流程 1219     

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本發明屬于高溫合金制造相關領域，具體涉及汽車或船艦發動機氣閥用鎳基合金制造相關技術領域。背景技術高溫合金又叫熱強合金、耐熱合金或超合金，能在600℃以上的高溫及一定應力作用下長期工作。其具有較高的高溫強度，良好的抗氧化和抗熱腐蝕性能，良好的疲勞性能、塑性等綜合性能?；谏鲜鲂阅芴攸c，高溫合金被廣泛應用于航空航天、電力、油氣、車輛等領域。從成分上劃分又可分為鎳基、鐵基、鈷基合金材料。n80a(或稱nicr20tial)合金是一種鎳基時效強化高溫合金，以其優異的高溫強度和良好的抗高溫腐蝕性能，廣泛應

高強度高導電銅鈮系合金及其制備方法 844     

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.本發明屬于合金材料領域，尤其涉及一種銅鈮系合金及其制備方法。背景技術.高強高導銅合金廣泛應用于高鐵接觸線、真空觸頭開關、集成電路引線框架、電阻焊電極、高脈沖磁場導體等領域中。隨著科技發展，不同領域對高強高導銅合金提出了更高的性能要求，如極大規模集成電路中引線框架的性能應滿足：導電率≥％iacs，顯微硬度≥hv，抗拉強度≥mpa；高速列車時速為km/h時要求接觸導線導電率≥％iacs，抗拉強度≥mpa，此外這類材料還應具有良好的加工性能、耐腐蝕性能等。在此應用

鎂基儲氫材料及其制備方法與流程 1217     

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.本發明涉及儲氫材料領域，尤其是涉及一種鎂基儲氫材料及其制備方法。背景技術.鎂是一種非常有應用前景的儲氫材料，其理論儲氫密度可達.wt.％，是目前人類發現的儲氫密度最高的固體儲氫材料之一。.鎂基儲氫材料的應用還非常少，除了其吸放氫速率慢，需要高溫加快放氫速率外，氧氣與鎂反應在材料表面生成一層穩定的氧化物，即氧氣造成鎂基儲氫材料毒化，阻礙吸放氫過程也是造成鎂基儲氫材料實際應用的重要原因。發明內容.基于此，有必要提供一種可以解決上述問題的鎂基儲氫材料及其制備方法。.一種鎂基儲氫材料的制

鈀銅二元合金納米材料、其制備方法及其作為催化劑電催化還原CO2的應用與流程 780     

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本發明涉及一種鈀銅二元合金納米材料、其制備方法及其作為催化劑電催化還原CO2的應用。背景技術二氧化碳作為溫室氣體的主要成分，對環境的影響一直受各國政府的重視。目前，煤炭是我國使用最廣泛的一次能源，如何科學控制二氧化碳的排放成為可持續發展的重要保證。同時，經濟的增長急需有可再生能源的補給，二氧化碳作為廉價豐富的原料有著令人矚目的發展前景。近年來，隨著氣候變暖及能源危機的日益加劇，CO2的捕集及轉化已引起國際社會的廣泛關注，已成為各界關注和研究的熱點。利用電化學還原方法對二氧化碳（CO2）進行還原再

銅顆粒以及其制造方法與流程 1122     

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本發明涉及銅顆粒以及其制造方法。背景技術銅具有與銀相同程度的電阻率值，并且材料費比銀低，因此被適用作用于印刷配線基板、電路、電極的形成的導電性糊等原料。近年來，在電路等領域正在推進細間距化和電極的薄層化，與之相伴要求兼顧導電性糊用銅顆粒的微?；土己脽Y性。另一方面，微?；蟮你~由于表面積非常大，因此在制造導電性糊時顆粒的表面氧化變得顯著，有時會導致導電性差。專利文獻1為了確保銅粉的微?；蛯щ娦远岢隽嘶谑褂昧酥绷鳠岬入x子體的物理氣相沉積法(PVD法)的銅粉的制造方法?，F有技術文獻專利文獻專

細化銅及銅合金結晶組織的中間合金、其制備方法及使用工藝與流程 322     

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本發明屬于銅及銅合金加工技術領域，具體涉及一種細化銅及銅合金結晶組織的中間合金、其制備方法及使用工藝。背景技術結晶組織微細化是提高銅及銅合金的性能的有效手段，考慮組織的遺傳性因素以及不同銅產品的加工工序要求，還要求細化效果具有顯著的長效性與重熔細化效果?；瘜W法細化晶粒組織是目前最為常用、操作簡便且行之有效的晶粒細化工藝方案。在熔體處理的適當階段，在合適的溫度條件下，通過往熔體中直接加入或反應生成非自發形核核心，使熔體在凝固過程中通過異質形核實現晶粒細化。對于非自發形核核心，要求與結晶組織之間具有

PBO復合材料及其制備方法和應用與流程 590     

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一種pbo復合材料及其制備方法和應用技術領域.本發明屬于耐磨材料技術領域，尤其涉及一種pbo復合材料及其制備方法和應用。背景技術.商用車底盤上有很多襯套的使用，但是目前以銅襯套、合金襯套為主，塑料襯套有部分應用；一般要求不高的場合，高分子耐磨襯套都可以替代金屬襯套，而且具有耐磨、免維護的特點；但是一些要求高的場合，比如高載荷，高頻率的條件，一般的塑料襯套就很難滿足要求。這就對材料的耐磨性及強度有著極高的要求。.轉向節是車輪轉向的鉸鏈，一般呈叉形。上下兩叉有安裝主銷的兩個同軸孔，轉向節軸頸用

表面納米化高能離子注滲復合處理方法與流程 786     

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本發明涉及表面強化技術領域，具體為一種表面納米化高能離子注滲復合處理方法。背景技術模具是機械、電子、輕工、國防等行業生產的重要工藝裝備，模具生產技術水平的高低，在很大程度上決定著產品的質量、效益和新產品的開發能力。模具的失效往往開始于模具表面，因此，模具表面性能的優劣直接影響到模具的使用及壽命。表面改性技術是提高材料表面性能的重要手段，廣泛應用于要求耐磨、耐蝕等場合。金屬表面納米化技術是運用外加載荷重復作用于材料表面，增加多晶體金屬材料表面的自由能，使表面組織產生不同方向的強烈塑性變形而逐漸將材

碳化硅膜的共形沉積的制作方法 1148     

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碳化硅膜的共形沉積本申請是申請號為.，申請日為年月日，申請人為諾發系統公司，發明創造名稱為“碳化硅膜的共形沉積”的發明專利申請的分案申請。技術領域.本發明一般涉及碳化硅膜的形成，尤其涉及碳化硅膜的共形沉積。背景技術.碳化硅(sic)類薄膜具有獨特的物理、化學和機械性能，并被用于各種應用，特別是集成電路應用中。碳化硅薄膜的種類包括經氧摻雜的碳化硅(也稱為碳氧化硅(sioc))、經氮摻雜的碳化硅(也稱為碳氮化硅(sinc))、經氧和氮摻雜的碳化硅(也稱為氧氮